https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/61942| Title: | Компьютерное моделирование вертикальных резонансно-туннельных гетероструктур, содержащих GaN, SiC и графен |
| Authors: | Абрамов, И. И. Коломейцева, Н. В. Ермак, В. О. |
| Keywords: | публикации ученых;моделирование;наноэлектроника;двумерные материалы |
| Issue Date: | 2025 |
| Publisher: | Севастопольский государственный университет |
| Citation: | Абрамов, И. И. Компьютерное моделирование вертикальных резонансно-туннельных гетероструктур, содержащих GaN, SiC и графен / И. И. Абрамов, Н. В. Коломейцева, В. О. Ермак // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрыМиКо’2025) = Microwave and Telecommunication Technology (CriMiCo’2025) : материалы 35-й Международной научно-технической конференции, Севастополь, 7–13 сентября 2025 г. / Севастопольский государственный университет [и др.] ; редкол.: А. Е. Вольвач, Ю. П. Михайлюк, А. А. Савочкин. – Севастополь, 2025. – Вып. 7. – С. 160–161. |
| Abstract: | В статье рассмотрено теоретическое исследование характеристик гетероструктур, содержащих GaN, SiC и графен с вертикальным транспортом, полученных с использованием комбинированной модели, модифицированной на случай вертикального транспорта. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/61942 |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Abramov_Kompyuternoe.pdf | 918.49 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.