Полупроводниковые твердые растворЫ Cu2FeSn(Sx,Se1–x)4: синтез, структурные свойства, диаграмма состояния

Хорошко, В. В.; Осмоловская, Т. Н.; Пугач, Н. Г.; Дорошкевич, А. С.; Радюш, Ю. В.; Кузьмар, И. И.; Лоско, Е. В.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/61972

Title:	Полупроводниковые твердые растворЫ Cu2FeSn(Sx,Se1–x)4: синтез, структурные свойства, диаграмма состояния
Other Titles:	Semiconductor solid solutions Cu2FeSn(Sx,Se1–x)4: synthesis, structural properties, state diagram
Authors:	Хорошко, В. В. Осмоловская, Т. Н. Пугач, Н. Г. Дорошкевич, А. С. Радюш, Ю. В. Кузьмар, И. И. Лоско, Е. В.
Keywords:	доклады БГУИР;магнитные полупроводники;кристаллические структуры;станнит
Issue Date:	2025
Publisher:	БГУИР
Citation:	Полупроводниковые твердые растворЫ Cu2FeSn(Sx,Se1–x)4: синтез, структурные свойства, диаграмма состояния = Semiconductor solid solutions Cu2FeSn(Sx,Se1–x)4: synthesis, structural properties, state diagram / В. В. Хорошко, Т. Н. Осмоловская, А. В. Станчик [и др.] // Доклады БГУИР. – 2025. – Т. 23, № 5. – С. 27–34.
Abstract:	В статье представлены результаты получения крупноблочных поликристаллов системы полупроводниковых твердых растворов Cu2FeSn(Sx,Se1–x)4, образующихся во всем диапазоне концентраций. Установлено, что как соединения Cu2FeSnS4, Cu2FeSnSe4, так и твердые растворы имеют тетрагональную структуру станнита I4̅2m с соотношением параметров элементарной ячейки с/а ∼ 2. Параметры элементарной ячейки изменялись линейно в соответствии с законом Вегарда – от a = (5,704 ± 0,005) Å и с = (11,26 ± 0,01) Å для Cu2FeSnSe4 до a = (5,441 ± 0,005) Å и с = (10,72 ± 0,01) Å для Cu2FeSnS4. Установлены зависимости рентгеновской плотности и температуры Дебая. По результатам дифференциального термического анализа определены температуры плавления образцов, построена диаграмма состояния системы.
Alternative abstract:	The article presents the results of obtaining large-block polycrystals of the semiconductor solid solution system Cu2FeSn(Sx,Se1–x)4, formed in the entire concentration range. It was found that both the compounds Cu2FeSnS4, Cu2FeSnSe4 and the solid solutions have a tetragonal stannite structure I4̅2m with a ratio of the unit cell parameters с/а ∼ 2. The unit cell parameters varied linearly in accordance with Vegard’s law – from a = (5.704 ± 0.005) Å and c = (11.261 ± 0.01) Å for Cu2FeSnSe4 to a = (5.441 ± 0.005) Å and c = (10.72 ± 0.01) Å for Cu2FeSnS4. The dependences of the X-ray density and the Debye temperature were determined. Based on the results of differential thermal analysis, the melting temperatures of the samples were determined and a system phase diagram was constructed.
URI:	https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/61972
DOI:	10.35596/1729-7648-2025-23-5-27-34
Appears in Collections:	Том 23, № 5

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Osmolovskaya_Poluprovodnikovye.pdf		570.29 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar