О механизмах ТГц генерации в гетероструктурном p-i-n диоде AlxGa1-xAs/GaAs

Трухин, В. Н.; Малевич, В. Л.; Калиновский, В. С.; Мустафин, И. А.; Контрош, Е. В.; Fan, X.; Прудченко, К. К.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/62188

Title:	О механизмах ТГц генерации в гетероструктурном p-i-n диоде AlxGa1-xAs/GaAs
Authors:	Трухин, В. Н. Малевич, В. Л. Калиновский, В. С. Мустафин, И. А. Контрош, Е. В. Fan, X. Прудченко, К. К.
Keywords:	публикации ученых;терагерцовое излучение;p-i-n диоды;импульс фототока;экранирование;баллистический перенос электронов
Issue Date:	2024
Publisher:	Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе
Citation:	О механизмах ТГц генерации в гетероструктурном p-i-n диоде AlxGa1-xAs/GaAs / В. Н. Трухин, В. Л. Малевич, В. С. Калиновский [и др.] // XVI Российская конференция по физике полупроводников (XVI РКФП) : тезисы докладов, Санкт-Петербург, 7–11 октября 2024 / Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе [и др.]. – Санкт-Петербург : Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 2024. – С. 278
Abstract:	Представлены результаты экспериментального исследования и моделирования методом Монте-Карло процесса генерации терагерцового излучения гетероструктурными p-i-n диодами AlxGa1-xAs/GaAs при возбуждении фемтосекундными оптическими импульсами. Процесс терагерцовой генерации изучался методом терагерцовой спектроскопии с временным разрешением.
URI:	https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/62188
Appears in Collections:	Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Truhin_O_Mehanizmah.pdf		1.21 MB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar