Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/62189
Title: «Velocity overshoot» и ТГц-генерация в гетероструктурном AlxGa1-xAs/GaAs p-i-n диоде
Authors: Трухин, В. Н.
Малевич, В. Л.
Калиновский, В. С.
Мустафин, И. А.
Fan, X.
Контрош, Е. В.
Прудченко, К. К.
Keywords: публикации ученых;терагерцовое излучение;p-i-n диоды;импульс фототока;экранирование;эффект всплеска баллистический скорости электронов
Issue Date: 2025
Citation: «Velocity overshoot» и ТГц-генерация в гетероструктурном AlxGa1-xAs/GaAs p-i-n диоде / В. Н. Трухин, В. Л. Малевич, В. С. Калиновский [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника. XXIX симпозиум : тезисы докладов, Нижний Новгород, 10-14 марта, 2025 / Министерство науки и высшего образования Российской Федерации [и др.]. – Нижний Новгород, 2025. – С. 408.
Abstract: В докладе представлены результаты экспериментального и теоретического исследования на основе аналитической модели процесса генерации терагерцового излучения гетеро-структурными AlxGa1-xAs/GaAs p-i-n диодами при возбуждении фемтосекундными оптическими импульсами. Проводилось также численное моделирование терагерцовой генерации методом Монте Карло. Получено хорошее согласие результатов моделирования с экспериментальными данным.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/62189
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Truhin_Velocity.pdf155.72 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.