Роль зернистости и межслойных границ в переключении RRAM-элементов

Abstract

В работе рассмотрены особенности функционирования наноструктур резистивной памяти на основе оксидов различных, в том числе переходных, металлов, включая механизмы резистивного переключения, влияние микроструктуры пленок и результаты численного моделирования. Показано, что эффективность работы мемристорных устройств напрямую зависит от микроструктурных параметров – количества слоев и плотности зерен. Увеличение числа слоев и зерен в слое приводит к переходу от нелинейного мемристорного поведения к омической проводимости, что ограничивает возможность применения таких структур в качестве энергонезависимой памяти.