| Title: | Моделирование выходных характеристик полевых транзисторов с использованием графена и его модификаций в диапазонах СВЧ и КВЧ |
| Other Titles: | Modeling of output characteristics of field-effect transistors using graphene and its modifications in the Microwave and MWR range |
| Authors: | Мищенко, В. Н. |
| Keywords: | материалы конференций;графены;фтор;водород;моделирование;полевые транзисторы |
| Issue Date: | 2026 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Мищенко, В. Н. Моделирование выходных характеристик полевых транзисторов с использованием графена и его модификаций в диапазонах СВЧ и КВЧ = Modeling of output characteristics of field-effect transistors using graphene and its modifications in the Microwave and MWR range / В. Н. Мищенко // Технические средства защиты информации : материалы ХXIV Международной научно-технической конференции, Минск, 8 апреля 2026 года / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники [и др.] ; редкол.: О. В. Бойправ [и др.]. – Минск, 2026. – С. 52–56. |
| Abstract: | Графен, обладающий высокой подвижностью заряда, которая превышает подвижность носителей заряда для всех известных материалов, рассматривается в настоящее время как один из наиболее перспективных материалов для создания новых полупроводниковых приборов. Приведены результаты моделирования выходных характеристик полевых транзисторов с использованием графена и его модификаций в диапазонах СВЧ и КВЧ. Моделирование выполнялось с использованием метода Монте Карло, который позволяет исследовать основные выходные характеристики полевых транзисторов, содержащих области графена и модифицированного графена. Полученные в результате моделирования характеристики и параметры полевых транзисторов могут быть использованы для создания новых устройств диапазонов СВЧ и КВЧ, обладающих улучшенными выходными параметрами и характеристиками. |
| Alternative abstract: | Graphene, which possesses high charge carrier mobility and velocity, exceeding that of all known materials, is currently considered one of the most promising materials for the creation of new semiconductor devices. The results of modeling the output characteristics of field-effect transistors using graphene and its modifications in the microwave and millimeter-wave ranges are presented. The modeling was performed using the Monte Carlo method, which allows one to investigate the key output characteristics of field-effect transistors containing graphene and modified graphene regions. The characteristics and parameters of the field-effect transistors obtained from the modeling can be used to create new microwave and millimeter-wave devices with improved output parameters and characteristics. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/63412 |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2026
|
