https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/63551| Title: | Влияние параметров ICP CVD осаждения диэлектриков на токи утечки в AlGaN/GaN HEMT |
| Authors: | Демидович, С. А. Михеенко, А. В. Кукуть, Ю. М. Ковальчук, Н. С. |
| Keywords: | публикации ученых;транзисторы с высокой подвижностью электронов;СВЧ-электроника;2DEG;HEMT;ICP CVD |
| Issue Date: | 2026 |
| Publisher: | Гродненский государственный университет имени Янки Купалы |
| Citation: | Влияние параметров ICP CVD осаждения диэлектриков на токи утечки в AlGaN/GaN HEMT / С. А. Демидович, А. В. Михеенко, Ю. М. Кукуть, Н. С. Ковальчук // Физика конденсированного состояния : материалы ХХХIV Международной научно-практической конференции студентов, магистрантов, аспирантов и молодых учёных, Гродно, 23–24 апреля 2026 г. / Гродненский государственный университет имени Янки Купалы ; редкол.: А. С. Воронцов (гл. ред.) [и др.]. – 2026. – С. 46–47. |
| Abstract: | Исследовано влияние ICP CVD режимов на пассивацию гетероструктуры AlGaN/GaN. Кислородная обработка создает оксидный слой, снижая токи утечки. Ключевым результатом является разработка комбинированного подхода: предварительная модификация поверхности AlGaN кислородной плазмой с последующим осаждением SiON в мягком режиме ICP CVD. |
| Alternative abstract: | The influence of ICP CVD regimes on the passivation of the AlGaN/GaN heterostructure has been investigated. Oxygen treatment creates an oxide layer, reducing leakage currents. The key result is the development of a combined approach: preliminary modification of the AlGaN surface with oxygen plasma followed by the deposition of SiON in a low-damage ICP CVD regime. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/63551 |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Demidovich_Vliyanie.pdf | 1.13 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.