https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/63565| Title: | Зарядоперенос в выпрямляющих полупроводниковых оксидных структурах с пентаоксидом ниобия |
| Authors: | Коваленко, Д. А. Буневич, М. А. Горбачёв, Д. В. |
| Keywords: | публикации ученых;вольт-амперные характеристики;Al/Nb2O5 /n+-Si;электронные компоненты |
| Issue Date: | 2026 |
| Publisher: | Гродненский государственный университет имени Янки Купалы |
| Citation: | Коваленко, Д. А. Зарядоперенос в выпрямляющих полупроводниковых оксидных структурах с пентаоксидом ниобия / Д. А. Коваленко, М. А. Буневич, Д. В. Горбачёв // Физика конденсированного состояния : материалы ХХХIV Международной научно-практической конференции студентов, магистрантов, аспирантов и молодых учёных, Гродно, 23–24 апреля 2026 г. / Гродненский государственный университет имени Янки Купалы ; редкол.: А. С. Воронцов (гл. ред.) [и др.]. – Гродно, 2026. – С. 83–85. |
| Abstract: | Исследованы ВАХ и механизмы переноса заряда в структурах Al/Nb2O5 /n+-Si. По результатам анализа ВАХ при температурах 35-55 °С установлено, что проводимость в слабых полях подчиняется закону Ома, а в средних полях доминируют токи, ограниченные пространственным зарядом. Закономерность изменения ВАХ с температурой подтверждает наличие локализованных состояний в виде ловушек электронов в запрещенной зоне пентаоксида ниобия. |
| Alternative abstract: | Charge transfer mechanisms in Al/Nb20 5/n+-Si structures have been studied. I-V analysis at 35-55°C shows Ohmic conduction at low fields and space-charge-limited currents (SCLC) at medium fields. The temperature dependence confirms the presence of trap levels in the niobium pentoxide band gap. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/63565 |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Kovalenko_Zaryadoperenos.pdf | 2.48 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.