Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/64120
Title: Сравнение мемристорных эффектов в структурах на основе анодных оксидов титана и ниобия
Authors: Иванюта, С. М.
Шеверденко, А. В.
Артюшкевич, Г. Д.
Дудич, В. В.
Keywords: материалы конференций;вентильные металлы;мемристоры;резистивное переключение;пористые оксидные структуры;энергоэффективная память
Issue Date: 2026
Publisher: БГУИР
Citation: Сравнение мемристорных эффектов в структурах на основе анодных оксидов титана и ниобия / С. М. Иванюта, А. В. Шеверденко, Г. Д. Артюшкевич, В. В. Дудич // Радиотехника и электроника : сборник материалов 62-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, 15–16 апреля 2026 / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2026. – С. 234–235.
Abstract: В работе исследованы механизмы резистивного переключения в МДМ-структурах на основе диоксида титана (TiO2) и пентаоксида ниобия (Nb2O5), полученных методом электрохимического анодирования. Исследовано влияние морфологии полученных оксидных слоёв и материала верхнего электрода на электрофизические характеристики мемристорных ячеек. Экспериментально подтверждено, что комбинация электродов с высокой работой выхода (никель) и пористой структуры оксида обеспечивает коэффициент переключения до 50 и снижает напряжение переключения до 2 В.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/64120
Appears in Collections:Радиотехника и электроника : материалы 62-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2026)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Ivanyuta_Sravnenie.pdf646.15 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.