Title: | Электронные свойства квазидвухмерных структур халькогенидов переходных металлов V группы |
Authors: | Козлова, О. А. |
Keywords: | материалы конференций;квазидвухмерные структуры;халькогениды переходных материалов;электронные свойства;микроэлектронные устройства |
Issue Date: | 2014 |
Publisher: | БГУИР |
Citation: | Козлова, О. А. Электронные свойства квазидвухмерных структур халькогенидов переходных металлов V группы / О. А. Козлова // Международная научно-техническая конференция, приуроченная к 50-летию МРТИ–БГУИР : материалы конференции, Минск, 18–19 марта 2014 г. : в 2 ч. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: А. Н. Осипов [и др.]. – Минск, 2014. – Ч. 2. – C. 46–47. |
Abstract: | Представлен анализ результатов теоретических и прикладных исследований по изучению электронных и магнитных свойств квазидвухмерных структур халькогенидов переходных материалов V группы (MeX2, где Me - V, Nb, Ta, X - S, Se, Te) в том числе, полученных с использованием первопринципных методов моделирования |
URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/642 |
ISBN: | 978-985-543-038-5 |
Appears in Collections: | Секция «Микро- и наноэлектроника»
|