| Title: | Электронные свойства квазидвухмерных структур халькогенидов переходных металлов V группы |
| Authors: | Козлова, О. А. |
| Keywords: | материалы конференций;квазидвухмерные структуры;халькогениды переходных материалов;электронные свойства;микроэлектронные устройства |
| Issue Date: | 2014 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Козлова, О. А. Электронные свойства квазидвухмерных структур халькогенидов переходных металлов V группы // Международная научно-техническая конференция, приуроченная к 50-летию МРТИ–БГУИР (Минск, 18–19 марта 2014 года) : материалы конф. В 2 ч. Ч. 2 / редкол. : А. Н. Осипов [и др.]. – Минск : БГУИР, 2014. - С. 46-47 |
| Abstract: | Представлен анализ результатов теоретических и прикладных исследований по изучению электронных и магнитных свойств квазидвухмерных структур халькогенидов переходных материалов V группы (MeX2, где Me - V, Nb, Ta, X - S, Se, Te) в том числе, полученных с использованием первопринципных методов моделирования |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/642 |
| ISBN: | 978-985-543-038-5 |
| Appears in Collections: | Секция «Микро- и наноэлектроника»
|
