Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/644
Title: Динамика переключения элемента резистивной памяти
Authors: Стремоус, Д. В.
Данилюк, А. Л.
Keywords: материалы конференций;резистивная память;SPICE моделирование;пороговое напряжение
Issue Date: 2014
Publisher: БГУИР
Citation: Стремоус, Д. В. Динамика переключения элемента резистивной памяти // Международная научно-техническая конференция, приуроченная к 50-летию МРТИ–БГУИР (Минск, 18–19 марта 2014 года) : материалы конф. В 2 ч. Ч. 2 / редкол. : А. Н. Осипов [и др.]. – Минск : БГУИР, 2014. - С. 71-72.
Abstract: Рассчитаны ВАХ, пороговое напряжение переключения и сопротивление элемента резистивной памяти (RRAM) в зависимости от сокрости нарастания внешнего смещения и рабочей температуры. Предложенная аналитическая модель адаптирована для использования в пакете самотехнического моделирования SPICE.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/644
ISBN: 978-985-543-038-5
Appears in Collections:Секция «Микро- и наноэлектроника»

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
динамика.pdf510.79 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.