Влияние режимов очистки в высокоплотной плазме аргона на морфологию и свойства поверхности подложек монокристаллического кремния

Abstract

Исследовано влияние параметров высокоплотной индуктивно-связанной плазмы аргона на морфологию и характеристики поверхности подложек монокристаллического кремния. Обработка образцов проводилась в диапазоне мощностей высокочастотного источника от 100 до 1000 Вт при длительности очистки до 300 с. Морфология поверхности анализировалась методом атомно-силовой микроскопии с последующим исследованием краевого угла смачивания и работы адгезии. Отмечено влияние очистки в высокоплотной плазме на поверхностную энергию. Установлено, что эффективные параметры очистки для получения минимальной шероховатости и удаления загрязнений без повреждения поверхности – это мощность разряда 300–500 Вт и длительность воздействия 60–120 с. Полученные данные могут быть использованы при подборе режимов плазменной очистки подложек монокристаллического кремния в технологических процессах микроэлектроники.