https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/64709| Title: | Перспективные полупроводниковые материалы для микроэлектроники |
| Other Titles: | Promising semiconductor materials for microelectronics |
| Authors: | Журавская, Е. А. Гололобов, Н. С. |
| Keywords: | материалы конференций;широкозонные полупроводники;двумерные материалы;карбид кремния;нитрид галлия;графены |
| Issue Date: | 2026 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Журавская, Е. А. Перспективные полупроводниковые материалы для микроэлектроники = Promising semiconductor materials for microelectronics / Е. А. Журавская, Н. С. Гололобов // Электронные системы и технологии : сборник материалов 62-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 13–17 апреля 2026 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: П. В. Камлач [и др.]. – Минск, 2026. – С. 1018–1019. |
| Abstract: | Рассмотрены три перспективных класса полупроводниковых материалов, способных сформировать элементную базу электроники: широкозонные полупроводники (SiC, GaN) для силовой и высокочастотной электроники; соединения A3B5 (GaAs, InP) для оптоэлектроники и СВЧ-устройств; двумерные материалы (графен, MoS2) с уникальными свойствами, но сложностями внедрения. |
| Alternative abstract: | As silicon technology reaches its physical scaling limits due to quantum leakage and heat dissipation, new semiconductors are needed. This report examines three classes: wide-bandgap materials (SiC, GaN) for power electronics; III–V compounds (GaAs, InP) for optoelectronics and microwave devices; 2D materials (graphene, MoS₂) with unique but hard-to-implement properties. Material specialization and synthesis advances are crucial. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/64709 |
| Appears in Collections: | Электронные системы и технологии : материалы 62-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2026) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| ZHuravskaya_Perspektivnye.pdf | 555.07 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.