| Title: | Анализ особенностей применения сверхвысокочастотной плазмы для удаления фоторезиста с полупроводниковых пластин |
| Other Titles: | Analysis of the features of using microwave plasma to remove photoresist from semiconductor wafers |
| Authors: | Коваленко, И. А. |
| Keywords: | материалы конференций;полупроводниковые пластины;плазменные процессы;сверхвысокочастотные плазмы;фотолитография;вакуумные технологии |
| Issue Date: | 2026 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Коваленко, И. А. Анализ особенностей применения сверхвысокочастотной плазмы для удаления фоторезиста с полупроводниковых пластин = Analysis of the features of using microwave plasma to remove photoresist from semiconductor wafers / И. А. Коваленко // Электронные системы и технологии : сборник материалов 62-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 13–17 апреля 2026 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: П. В. Камлач [и др.]. – Минск, 2026. – С. 357–359. |
| Abstract: | Проведен анализ особенностей применения сверхвысокочастотной (СВЧ) плазмы для удаления фоторезиста с полупроводниковых пластин в сравнении с традиционной высокочастотной (ВЧ) плазмой. Показано, что использование СВЧ-плазмы в downstream-режиме может обеспечивать степень диссоциации кислорода до 90%, что позволяет достичь скорости удаления фоторезиста 10–15 мкм/мин. |
| Alternative abstract: | An analysis of the specific features of using microwave plasma to remove photoresist from semiconductor wafers was conducted, compared to traditional radio-frequency (RF) plasma. It was shown that using microwave plasma in downstream mode can achieve oxygen dissociation rates of up to 90%, enabling photoresist removal rates of 10–15 μm/min. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/64714 |
| Appears in Collections: | Электронные системы и технологии : материалы 62-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2026)
|
