Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/65651
Title: Многослойные элементы памяти Al-Al2Te3-SnTe-TeO2-SnTe-Me
Other Titles: Multilayer Memory Elements Al-Al2Te3-SnTe-TeO2-SnTe-Me
Authors: Троян, Е. Ф.
Смирнов, А. Г.
Степанов, А. А.
Харьков, С. Ю.
Королева, Е. Ю.
Филимонов, А. В.
Keywords: доклады БГУИР;тонкие пленки;халькогенидные соединения;эффекты переключения и памяти
Issue Date: 2026
Publisher: БГУИР
Citation: Многослойные элементы памяти Al-Al2Te3-SnTe-TeO2-SnTe-Me = Multilayer Memory Elements Al-Al2Te3-SnTe-TeO2-SnTe-Me / Е. Ф. Троян [и др.] // Доклады БГУИР. – 2026. – Т. 24, № 4. – С. 47–53.
Abstract: В статье представлено исследование физических процессов на границе раздела в тонкопленочных структурах на основе двух- и трехкомпонентных халькогенидов, определяющих механизмы фазовых переходов и памяти. Предложена альтернативная концепция резистивного порогового переключения на границах раздела двух- и трехкомпонентных халькогенидных полупроводниковых материалов с формированием метастабильных дихалькогенидных соединений. Рассмотрены методы структурной стабилизации таких соединений.
Alternative abstract: This article presents a study of the physical processes at the interface in thin-film structures based on two- and three-component chalcogenides, which determine the mechanisms of phase transitions and memory. An alternative concept for resistive threshold switching at the interfaces of two- and three-component chalcogenide semiconductor materials is proposed, resulting in the formation of metastable dichalcogenide compounds. Methods for the structural stabilization of such compounds are discussed.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/65651
DOI: http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2026-24-4-47-53
Appears in Collections:Том 24, № 4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Troyan_Mnogoslojnye.pdf805.49 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.