Определение энергии образования точечных дефектов типа «вакансия» конструктивных материалов приборных структурах микроэлектроники, сформированных на основе кремния

Булавко, К. И.; Усенко, Е. Е.; Пашкевич, В. Э.; Гвоздовский, Д. Ч.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/66045

Title:	Определение энергии образования точечных дефектов типа «вакансия» конструктивных материалов приборных структурах микроэлектроники, сформированных на основе кремния
Other Titles:	Determination of the formation energy of vacancy-type point defects in structural materials of silicon-based microelectronic device structures
Authors:	Булавко, К. И. Усенко, Е. Е. Пашкевич, В. Э. Гвоздовский, Д. Ч.
Keywords:	материалы конференций;точечные дефекты;материалы структур микроэлектроники
Issue Date:	2026
Publisher:	БГУИР
Citation:	Определение энергии образования точечных дефектов типа «вакансия» конструктивных материалов приборных структурах микроэлектроники, сформированных на основе кремния = Determination of the formation energy of vacancy-type point defects in structural materials of silicon-based microelectronic device structures / К. И. Булавко, Е. Е. Усенко, В. Э. Пашкевич, Д. Ч. Гвоздовский // Компьютерное проектирование в электронике = Electronic Design Automation : сборник научных трудов Международной научно-практической конференции, Минск, 23 октября 2026 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск, 2026. – С. 160–161.
Abstract:	в работе представлены результаты квантово-механического моделирования точечных дефектов типа «вакансия» в кристаллическом кремнии и α-кварце (SiO2), выступающих в качестве конструктивных материалов приборных структур микроэлектроники. Расчеты выполнены в программном пакете VASP с использованием PAW-псевдопотенциалов и функционала PBE-D3(BJ), обеспечивающего наилучшее соотношение точности и вычислительных затрат.
Alternative abstract:	this paper presents the results of quantum mechanical simulation of vacancy-type point defects in crystalline silicon and α-quartz (SiO2), which serve as structural materials for microelectronic device structures. The calculations were performed using the VASP software package with PAW pseudopotentials and the PBE-D3(BJ) functional, providing the best balance between accuracy and computational cost.
URI:	https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/66045
Appears in Collections:	Компьютерное проектирование в электронике (2026)

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Bulavko_Opredelenie.pdf		77.85 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar