Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/66072
Title: Specifics of parametric measurement of semiconductor devices using Verilog-A
Other Titles: Специфика параметрического измерения полупроводниковых приборов с использованием Verilog-A
Authors: Filimonova, A. F.
Keywords: материалы конференций;parametric modeling;semiconductor devices;Verilog-A;SPICE;computer simulation;nonlinear characteristics.
Issue Date: 2026
Publisher: БГУИР
Citation: Filimonova, A. F. Specifics of parametric measurement of semiconductor devices using Verilog-A = Специфика параметрического измерения полупроводниковых приборов с использованием Verilog-A / A. F. Filimonova // Компьютерное проектирование в электронике = Electronic Design Automation : сборник научных трудов Международной научно-практической конференции, Минск, 23 октября 2026 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск, 2026. – С. 100–102.
Abstract: The article examines the specifics of parametric modeling for semiconductor devices using the Verilog-A analog description language. It highlights the main drawbacks of standard SPICE libraries, such as fixed parameter sets, limited adaptability to new component types, and the difficulty of accounting for nonlinear temperature and time dependencies in semiconductor structure characteristics. The stages of constructing a parametric model are described: identifying physical control parameters, formulating a system of analytical equations, replacing fixed coefficients with variables, and final verification against experimental data.
Alternative abstract: В статье рассматриваются особенности параметрического моделирования полупроводниковых приборов с использованием языка аналогового описания Verilog-A. Освещаются основные недостатки стандартных библиотек SPICE, такие как фиксированные наборы параметров, ограниченная адаптивность к новым типам компонентов и трудности при учете нелинейных температурных и временных зависимостей характеристик полупроводниковых структур. Описаны этапы построения параметрической модели: физическая идентификация управляющих параметров, формулирование системы аналитических уравнений, замена фиксированных коэффициентов переменными и заключительная верификация на основе экспериментальных данных.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/66072
Appears in Collections:Компьютерное проектирование в электронике (2026)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Filimonova_Specifics.pdf88.1 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.