https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/66077| Title: | 4H-SiC траншейный биполярный транзистор с изолированным затвором с низким падением напряжения |
| Other Titles: | 4H-SiC trench insulated gate bipolar transistor with low on-state voltage drop |
| Authors: | Нгуен Чонг Тхань Ветошкин, В. В. Якуш, В. С. |
| Keywords: | материалы конференций;траншейные затворы;P-экраны |
| Issue Date: | 2026 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Нгуен Чонг Тхань. 4H-SiC траншейный биполярный транзистор с изолированным затвором с низким падением напряжения = 4H-SiC trench insulated gate bipolar transistor with low on-state voltage drop / Нгуен Чонг Тхань, В. В. Ветошкин, В. С. Якуш // Компьютерное проектирование в электронике = Electronic Design Automation : сборник научных трудов Международной научно-практической конференции, Минск, 23 октября 2026 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск, 2026. – С. 198–200. |
| Abstract: | в работе представлено исследование конструкции 4H-SiC траншейного БТИЗ с P экранирующим слоем. В состоянии запирания P-экран фиксируется при низком потенциале за счет проводимости PMOS-транзистора, обеспечивая эффективное экранирование окисла траншейного затвора от сильного электрического поля. В открытом состоянии P-экран изолирован от эмиттерного электрода слоем N-кармана, что способствует усилению эффекта инжекции носителей. При высоких напряжениях коллектор-эмиттер P-экран напрямую соединяется с эмиттером через эффект прокола (punch-through) PNP-транзистора с открытой базой, что позволяет снизить ток насыщения. |
| Alternative abstract: | this paper presents an investigation of a 4H-SiC trench IGBT structure with a P-shielding layer. In the off-state, the P-shield is fixed at a low potential due to the conductivity of a PMOS transistor, providing effective shielding of the trench gate oxide from the strong electric field. In the on-state, the P-shield is isolated from the emitter electrode by an N-well layer, which enhances the carrier injection effect. At high collector emitter voltages, the P-shield is directly connected to the emitter through the punch-through effect of an open base PNP transistor, which allows for a reduction in the saturation current. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/66077 |
| Appears in Collections: | Компьютерное проектирование в электронике (2026) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Nguen_4H-SiC.pdf | 248.49 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.