https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/66084| Title: | Применение метода Монте-Карло при моделировании технологического маршрута формирования кремниевых приборных структур с проектными нормами 90 НМ |
| Other Titles: | Monte Carlo simulation of process flow for silicon device structures |
| Authors: | Новиков, Ф. П. Пашкевич, В. Э. Ветошкин, В. В. Якуш, В. С. Волчёк, В. С. Ловшенко, И. Ю. |
| Keywords: | материалы конференций;ионная имплантация;МОП-транзисторы |
| Issue Date: | 2026 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Применение метода Монте-Карло при моделировании технологического маршрута формирования кремниевых приборных структур с проектными нормами 90 НМ = Monte Carlo simulation of process flow for silicon device structures / Ф. П. Новиков, В. Э. Пашкевич, В. В. Ветошкин, В. С. Якуш, В. С. Волчёк [и др.] // Компьютерное проектирование в электронике = Electronic Design Automation : сборник научных трудов Международной научно-практической конференции, Минск, 23 октября 2026 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск, 2026. – С. 147–148. |
| Abstract: | в работе представлены результаты компьютерного моделирования полного технологического маршрута формирования n-канального МОП-транзистора с проектными нормами 90 нм, охватывающего более 20 основных и 50 вспомогательных операций. Рассмотрены этапы формирования изоляции типа «мелкая канавка» глубиной 310 нм с углом наклона стенок 85°, выращивания подзатворного диэлектрика толщиной 7 нм, формирования поликремниевого затвора длиной 140 нм и боковых диэлектрических спейсеров шириной 50 нм. |
| Alternative abstract: | this paper presents the results of computer simulation of the complete process flow for forming an n-channel MOSFET with 90 nm node, covering more than 20 main and 50 auxiliary operations. The stages of forming shallow trench isolation with a depth of 310 nm and an 85° sidewall slope angle, a gate dielectric with a thickness of 7 nm, a polysilicon gate with a length of 140 nm and sidewall spacers with a width of 50 nm are considered. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/66084 |
| Appears in Collections: | Компьютерное проектирование в электронике (2026) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Novikov_Primenenie.pdf | 171.51 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.