Первопринципное исследование ZnVN2: от объемного материала до монослоя

Abstract

С помощью первопринципных расчетов исследовано семейство материалов на основе ZnVN2. Стабильность исследованных материалов оценена на основе результатов вычислений фононных спектров и ab initio молекулярно-динамического моделирования. Проведена оценка оптоэлектронных и транспортных свойств исследованного семейства материалов ZnVN2. Показано, что объемный и монослойный ZnVN2 являются полупроводниками с непрямой запрещенной зоной. Объемный ZnVN2 демонстрирует коэффициент поглощения ~1,2×10⁶ см⁻¹ в среднеультрафиолетовом диапазоне, а монослой ZnVN2 имеет самый высокий коэффициент поглощения 13,02% в среднеультрафиолетовом диапазоне. Кроме того, установлено, что тип подложки значительно влияет на структурную стабильность монослоя ZnVN2 и его электронные свойства за счет формирования структурных дефектов на границе раздела.