Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item:
Title: Влияние гамма-излучения на МОП/КНИ-транзисторы
Other Titles: Influence of gamma radiation on MOS/SOI transistors
Authors: Богатырев, Ю. В.
Ластовский, С. Б.
Сорока, С. А.
Шведов, С. В.
Огородников, Д. А.
Keywords: доклады БГУИР;МОП/КНИ-транзистор;гамма-излучение;радиационная стойкость;MOS/SOI transistor;gamma radiation;radiation resistance
Issue Date: 2016
Publisher: БГУИР
Citation: Богатырев, Ю. В. Влияние гамма-излучения на МОП/КНИ- транзисторы / Ю. В. Богатырев [и др.] // Доклады БГУИР. - 2016. - № 3 (97). - С. 75 - 80.
Abstract: Приведены результаты исследований влияния гамма-излучения Со60 на характеристики тестовых МОП/КНИ-транзисторов с различными конструктивно-технологическими особенностями и электрическими режимами.
Alternative abstract: The results of experimental researches of influence of gamma radiation Со60 on test MOS/SOI transistors with different constructive-technologic features and electrical modes are submitted.
Appears in Collections:№3 (97)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Bogatyrev_Vliyanie.PDF699.55 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.