https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/6887| Title: | Влияние гамма-излучения на МОП/КНИ-транзисторы |
| Other Titles: | Influence of gamma radiation on MOS/SOI transistors |
| Authors: | Богатырев, Ю. В. Ластовский, С. Б. Сорока, С. А. Шведов, С. В. Огородников, Д. А. |
| Keywords: | доклады БГУИР;МОП/КНИ-транзистор;гамма-излучение;радиационная стойкость;MOS/SOI transistor;gamma radiation;radiation resistance |
| Issue Date: | 2016 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Богатырев, Ю. В. Влияние гамма-излучения на МОП/КНИ- транзисторы / Ю. В. Богатырев [и др.] // Доклады БГУИР. - 2016. - № 3 (97). - С. 75 - 80. |
| Abstract: | Приведены результаты исследований влияния гамма-излучения Со60 на характеристики тестовых МОП/КНИ-транзисторов с различными конструктивно-технологическими особенностями и электрическими режимами. |
| Alternative abstract: | The results of experimental researches of influence of gamma radiation Со60 on test MOS/SOI transistors with different constructive-technologic features and electrical modes are submitted. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/6887 |
| Appears in Collections: | №3 (97) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Bogatyrev_Vliyanie.PDF | 699.55 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.