https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/6887| Название: | Влияние гамма-излучения на МОП/КНИ-транзисторы |
| Другие названия: | Influence of gamma radiation on MOS/SOI transistors |
| Авторы: | Богатырев, Ю. В. Ластовский, С. Б. Сорока, С. А. Шведов, С. В. Огородников, Д. А. |
| Ключевые слова: | доклады БГУИР;МОП/КНИ-транзистор;гамма-излучение;радиационная стойкость;MOS/SOI transistor;gamma radiation;radiation resistance |
| Дата публикации: | 2016 |
| Издательство: | БГУИР |
| Описание: | Богатырев, Ю. В. Влияние гамма-излучения на МОП/КНИ- транзисторы / Ю. В. Богатырев [и др.] // Доклады БГУИР. - 2016. - № 3 (97). - С. 75 - 80. |
| Аннотация: | Приведены результаты исследований влияния гамма-излучения Со60 на характеристики тестовых МОП/КНИ-транзисторов с различными конструктивно-технологическими особенностями и электрическими режимами. |
| Аннотация на другом языке: | The results of experimental researches of influence of gamma radiation Со60 on test MOS/SOI transistors with different constructive-technologic features and electrical modes are submitted. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/6887 |
| Располагается в коллекциях: | №3 (97) |
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Bogatyrev_Vliyanie.PDF | 699.55 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.