| Title: | Анализ физических причин необратимых отказов полупроводниковых структур при воздействии ЭМИ |
| Authors: | Бужинский, А. Д. |
| Keywords: | материалы конференций;полупроводниковые структуры;тепловые механизмы;ЭМИ |
| Issue Date: | 2013 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Бужинский, А. Д. Анализ физических причин необратимых отказов полупроводниковых структур при воздействии ЭМИ / А. Д. Бужинский // Моделирование, компьютерное проектирование и технология производства электронных средств : сборник материалов 49-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, 6–10 мая 2013 года / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Боднарь И. В. [и др.]. – Минск, 2013. – С. 226–228. |
| Abstract: | Анализ физических причин необратимых отказов полупроводниковых структур при воздействии ЭМИ позволяет
сделать вывод о весьма сложном процессе их деградации, в котором преобладающее влияние оказывает тепловой меха-
низм отказов. Для p-n-переходов этапы этого процесса можно кратко записать в виде: ЭМИ – наведённые помехи – изме-
нение протекающего тока – электрический (лавинный) пробой – тепловой пробой – выгорание. Тепловому пробою обычно
предшествует электрический пробой, но для широких переходов тепловой пробой может наступить, минуя электрический. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/9221 |
| Appears in Collections: | Моделирование, компьютерное проектирование и технология производства электронных систем : материалы 49-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2013)
|
