Skip navigation

Browsing by Author Волчёк, В. С.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
 
Showing results 1 to 8 of 8
Issue DateTitleAuthor(s)
2020Компьютерное моделирование сенсоров токсичных наночастиц на основе гетероструктурного полевого транзистораВолчёк, В. С.; Стемпицкий, В. Р.
2015Конструктивно-технологические особенности сенсорных устройств на основе широкозонных полупроводниковВолчёк, В. С.; Дао Динь Ха; Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.
2016Моделирование эффекта саморазогрева транзистора с высокой подвижностью электронов на различных подложкахВолчёк, В. С.
2020Нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов с эффективной системой теплоотвода на основе графенаВолчёк, В. С.; Ловшенко, И. Ю.; Шандарович, В. Т.; Дао Динь Ха.
2018Подвижность электронов в модуляционно-легированной структуре на основе нитрида галлияВолчёк, В. С.
2017Пороговое напряжение MIS-HEMT с подзатворными high-κ диэлектрикамиВолчёк, В. С.
2017Применение La2O3 в качестве подзатворного диэлектрика MIS-HEMTВолчёк, В. С.
2015Трехмерное моделирование технологических процессов и приборов микроэлектроникиВолчёк, В. С.