Browsing by Author Волчёк, В. С.
Showing results 1 to 11 of 11
| Issue Date | Title | Author(s) |
| 2020 | Компьютерное моделирование сенсоров токсичных наночастиц на основе гетероструктурного полевого транзистора | Волчёк, В. С.; Стемпицкий, В. Р. |
| 2015 | Конструктивно-технологические особенности сенсорных устройств на основе широкозонных полупроводников | Волчёк, В. С.; Дао Динь Ха; Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р. |
| 2024 | Конструктивно-технологические особенности приборов фотоники, силовой и СВЧ-электроники на основе широкозонных полупроводников | Волчёк, В. С.; Стемпицкий, В. Р. |
| 2024 | Лавинный пробой транзистора с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с теплоотводящим элементом на основе графена | Волчёк, В. С. |
| 2016 | Моделирование эффекта саморазогрева транзистора с высокой подвижностью электронов на различных подложках | Волчёк, В. С. |
| 2020 | Нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов с эффективной системой теплоотвода на основе графена | Волчёк, В. С.; Ловшенко, И. Ю.; Шандарович, В. Т.; Дао Динь Ха. |
| 2024 | Нормально закрытый нитрид-галлиевый гетероструктурный полевой транзистор с системой теплоотвода на основе графена и нитрида бора | Волчёк, В. С.; Стемпицкий, В. Р. |
| 2018 | Подвижность электронов в модуляционно-легированной структуре на основе нитрида галлия | Волчёк, В. С. |
| 2017 | Пороговое напряжение MIS-HEMT с подзатворными high-κ диэлектриками | Волчёк, В. С. |
| 2017 | Применение La2O3 в качестве подзатворного диэлектрика MIS-HEMT | Волчёк, В. С. |
| 2015 | Трехмерное моделирование технологических процессов и приборов микроэлектроники | Волчёк, В. С. |
