Skip navigation

Browsing by Author Stempitsky, V. R.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я or enter first few letters:  
Showing results 1 to 15 of 15
Issue DateTitleAuthor(s)
2018Ab initio simulation of graphene interaction with SiO2 substrate for nanoelectronics applicationHvazdouski, D. C.; Stempitsky, V. R.; Гвоздовский, Д. Ч.; Стемпицкий, В. Р.
2018Electronic and optic properties of transition metal dichalcogenides (MoS2, WSe2) and graphene heterostructuresBaranava, M. S.; Hvazdouski, D. С.; Stempitsky, V. R.; Vauchok, S. А.; Najbuk, M.; Баранова, М. С.; Гвоздовский, Д. Ч.; Стемпицкий, В. Р.; Волчёк, С. А.
2017Electronic properties of graphene-based heterostructuresSkachkova, V. A.; Baranava, M. S.; Hvazdouski, D. C.; Stempitsky, V. R.
2017Electronic properties of graphene-based heterostructuresSkachkova, V. A.; Baranava, M. S.; Hvazdouski, D. С.; Stempitsky, V. R.; Скачкова, В. А.; Баранова, М. С.; Гвоздовский, Д. Ч.; Стемпицкий, В. Р.
2019Iron-induced acceptor centers in the gallium nitride high electron mobility transistor: thermal simulation and analysisDao Dinh Ha; Trung Tran Tuan; Volcheck, V. S.; Stempitsky, V. R.
2019Leakage current in AlGaN Schottky diode in terms of the phonon-assisted tunneling modelVolcheck, V. S.; Stempitsky, V. R.
2019Mobility of a two-dimensional electron gas in the AlGaAs/GaAs heterostructure: simulation and analysisVolcheck, V. S.; Stempitsky, V. R.
2019Mobility of a two-dimensional electron gas in the AlGaN/GaN heterostructure: simulation and analysisVolcheck, V. S.; Stempitsky, V. R.
2019Physic-topological (electrical) model of a junction field effect transistor, taking into account the degradation of operational characteristics under the influence of penetrating radiationLovshenko, I. Yu.; Khanko, V. T.; Stempitsky, V. R.
2018Spin splitting in band structures of BiTeX (X=Cl, Br, I) monolayersHvazdouski, D. С.; Baranava, M. S.; Stempitsky, V. R.; Гвоздовский, Д. Ч.; Баранова, М. С.; Стемпицкий, В. Р.
2016Биполярный транзистор с изолированным затвором, изготовленный в объемном кремнии и по технологии «Кремний на изоляторе»Шелибак, И.; Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.; Shelibak, I.; Lovshenko, I. Yu.; Stempitsky, V. R.
2016Интегральный трехмерный магнитометр на основе датчиков Холла, изготовленный по стандартной КМОП технологииДао Динь Ха; Волчёк, В. С.; Баранова, М. С.; Ловшенко, И. Ю.; Гвоздовский, Д. Ч.; Стемпицкий, В. Р.; Dao Dinh Ha; Volchek, V. S.; Baranava, M. S.; Lovshenko, I. Yu.; Hvazdouski, D. C.; Stempitsky, V. R.
2004Исследование и оптимизация процесса осаждения пленок поликристаллического кремния, легированного германием как изовалентной примесьюБорисевич, В. М.; Ковалевский, А. А.; Нелаев, В. В.; Малышев, В. С.; Стемпицкий, В. Р.; Borisevich, V. M.; Kovalevsky, A. A.; Nelayev, V. V.; Malyshev, V. S.; Stempitsky, V. R.
2017Электрическая модель 90-нанометрового МОП-транзистораБоровик, А. М.; Ханько, В. Т.; Стемпицкий, В. Р.; Borovik, A. M.; Khanko, V. T.; Stempitsky, V. R.
2010Электрическая модель ячейки памяти на эффекте туннельного магнитосопротивленияКостров, А. И.; Стемпицкий, В. Р.; Родина, Т. Н.; Данилюк, А. Л.; Борисенко, В. Е.; Kostrov, A. I.; Stempitsky, V. R.; Rodina, T. N.; Danilyuk, A. L.; Borisenko, V. E.