| Title: | Влияние заряженных кластеров на диффузию атомов примеси в кристаллах кремния |
| Other Titles: | Effect of Charged Clusters on the Diffusion of Impurity Atoms in Silicon Crystals |
| Authors: | Величко, О. И. |
| Keywords: | публикации ученых;диффузия;сегрегация;кластер;примесь;segregation;cluster;impurity |
| Issue Date: | 2017 |
| Publisher: | Институт тепло- и массообмена имени А.В. Лыкова НАН Беларуси |
| Citation: | Величко О. И. Влияние заряженных кластеров на диффузию атомов примеси в кристаллах кремния / О. И. Величко // Инженерно-физический журнал. – 2017. – Т. 90, № 3. – С. 763–766. |
| Abstract: | Получено уравнение диффузии примесных атомов в кристаллах кремния, на основе которого может быть определено влияние заряженных кластеров в кристалле кремния на процесс переноса примеси. Показано, что характерной особенностью этого влияния является возникновение дополнительного потока примесных атомов, который может привести к сегрегации примеси. |
| Alternative abstract: | An equation of diffusion of impurity atoms in silicon crystals has been obtained, based on which the influence of charged clusters in a silicon crystal on the process of impurity transfer can be determined. It is shown that a characteristic feature of this effect is the appearance of an additional flux of impurity atoms, which is capable of leading to impurity segregation. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/13469 |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|
