Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item:
Title: Влияние заряженных кластеров на диффузию атомов примеси в кристаллах кремния
Other Titles: Effect of Charged Clusters on the Diffusion of Impurity Atoms in Silicon Crystals
Authors: Величко, О. И.
Velichko, O. I.
Keywords: публикации ученых;диффузия;сегрегация;кластер;примесь;segregation;cluster;impurity
Issue Date: 2017
Publisher: Институт тепло- и массообмена имени А.В. Лыкова НАН Беларуси
Citation: Величко О. И. Влияние заряженных кластеров на диффузию атомов примеси в кристаллах кремния / О. И. Величко // Инженерно-физический журнал ― 2017. ― ТОМ 90, № 3. ― С. 763 – 766.
Abstract: Получено уравнение диффузии примесных атомов в кристаллах кремния, на основе которого может быть определено влияние заряженных кластеров в кристалле кремния на процесс переноса примеси. Показано, что характерной особенностью этого влияния является возникновение дополнительного потока примесных атомов, который может привести к сегрегации примеси.
Alternative abstract: An equation of diffusion of impurity atoms in silicon crystals has been obtained, based on which the influence of charged clusters in a silicon crystal on the process of impurity transfer can be determined. It is shown that a characteristic feature of this effect is the appearance of an additional flux of impurity atoms, which is capable of leading to impurity segregation.
Appears in Collections:Публикации в изданиях Республики Беларусь

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Effect.docx14.71 kBMicrosoft Word XMLView/Open
Velichko_2017.docx12.68 kBMicrosoft Word XMLView/Open
Show full item record

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.