Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/1586
Title: Влияние гамма-излучения на элементы аналоговых интегральных схем
Other Titles: Influence of gamma radiation on analog IC-elements
Authors: Дворников, О. В.
Чеховский, В. А.
Дятлов, В. Л.
Богатырев, Ю. В.
Ластовский, С. Б.
Keywords: доклады БГУИР
радиационно-стойкие транзисторы
гамма-излучение
аналоговые интегральные схемы
Issue Date: 2012
Publisher: БГУИР
Citation: Дворников, О. В. Влияние гамма-излучения на элементы аналоговых интегральных схем / О. В. Дворников и другие // Доклады БГУИР. - 2012. - № 3 (65). - С. 56 - 62.
Abstract: Рассмотрено влияние гамма-излучения Co60 на характеристики элементов аналоговых интегральных схем (ИС): входную вольтамперную характеристику (ВАХ) в схеме с общей базой (ОБ), выходную ВАХ в схеме общим эмиттером (ОЭ), зависимость статического коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ (β) от коллекторного тока (IC) для n-p-n- и p-n-p-транзисторов, выходную ВАХ полевого транзистора с p-n-переходом и каналом p-типа (p-ПТП) в схеме с общим истоком (ОИ). Установлено, что уменьшение напряжения отсечки p-ПТП не превышает 3 %, а максимального тока стока – менее 5 % при поглощенной дозе D = 5,345 Мрад. Максимум зависимости β = f(IC) n-p-n- и p-n-p-транзисторов уменьшается и сдвигается в область больших коллекторных токов при D < 0,845 Мрад. При поглощенной дозе, превышающей 0,845 Мрад, максимум β n-p-n-транзисторов слабо снижается, а для p- n-p-транзисторов – немного увеличивается (частично восстанавливается).
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/1586
Appears in Collections:№3 (65)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Dvornikov_Vliyaniye.PDF571.14 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.