Анализ эксплуатационной надежности резервируемых изделий микроэлектроники

Abstract

Для выявления конкретной причины появления мерцающего отказа полупроводникового прибора с большим сроком хранения были применены разрушающие и неразрушающие методы контроля и диагностики неразъемных соединений, в том числе: лазерная фотоакустическая микроскопия, лазерная эллипсометрия, визуальный контроль, испытание прочности межсоединений на отрыв. Визуализированное на лазерных фотоакустических топограммах разрушение внутренней структуры полупроводникового кристалла данного прибора подтвердилось при проведении диагностики различных приборов в аналогичном корпусе с длительным вылеживанием при хранении. Инициаторами такого рода деградации монтажной конструкции приборов являются концентраторы напряжений в дефектном слое возникающим по периметру кристаллов при воздействии режущего инструмента на стадии разделения полупроводниковых пластин традиционным способом сквозного разделения. Для минимизации этого нежелательного явления предлагается оптимальный вариант сквозного разделения полупроводниковых пластин на кристаллы.