https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/29062
Название: | Optimization of structural and technological parameters of junction field-effect transistor with increased radiation hardness |
Авторы: | Dvornikov, O. V. Lovshenko, I. Stempitsky, V. Khanko, V. T. |
Ключевые слова: | материалы конференций;junction field-effect transistor;increased radiation hardness |
Дата публикации: | 2017 |
Издательство: | БГУИР |
Описание: | Optimization of structural and technological parameters of junction field-effect transistor with increased radiation hardness / O. Dvornikov and others // Nano-design, technology, computer simulations : proceedings of 17th International workshop on new approaches to high –tech (26-27 October, 2017). – Minsk : BSUIR, 2017. – С. 150 - 155. |
URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/29062 |
Располагается в коллекциях: | NDTCS 2017 |
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Dvornikov_Optimization.PDF | 316.83 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.