| Title: | МОП-конденсаторы повышенной емкости для субмикронных СБИС |
| Other Titles: | Effective MOS-capasitors for submicron VLSIs applications |
| Authors: | Петлицкая, Т. В. |
| Keywords: | доклады БГУИР;пленки с высокой диэлектрической проницаемостью;МОП-конденсаторы;свойства;применение в СБИС |
| Issue Date: | 2003 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Петлицкая, Т. В. МОП-конденсаторы повышенной емкости для субмикронных СБИС = Effective MOS-capasitors for submicron VLSIs applications / Т. В. Петлицкая // Доклады БГУИР. – 2003. – № 1. – С. 70–74. |
| Abstract: | Предложен вариант комбинированного диэлектрика SiO2/Ta2O5, для конденсаторов СБИС. Дан
анализ его электрофизических и механических свойств. Рассмотрено влияние толщины каждого из диэлектриков на электрофизические свойства. Установлена зависимость изменения эффективного встроенного заряда в пленке Ta2O5 от радиуса кривизны пластины. На основании
изучения характеристик тестовых конденсаторов с различными вариантами толщины пленок
SiO2 и Ta2O5 определено оптимальное сочетание толщины пленок. Проведено промышленное
опробование разработанного диэлектрика на экспериментальных партиях пластин. |
| Alternative abstract: | Main properties of MOS-capasitors on the basis SiO2/Ta2O5 have been investegated. The dependence of effective installed charge in Ta2O5 thin film on wafer radius has been obtained. Test capasitors were created within VLSIs in standard industrial conditions. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30783 |
| Appears in Collections: | №1
|
