Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30783
Title: МОП-конденсаторы повышенной емкости для субмикронных СБИС
Other Titles: Effective MOS-capasitors for submicron VLSIs applications
Authors: Петлицкая, Т. В.
Keywords: доклады БГУИР;пленки с высокой диэлектрической проницаемостью;МОП-конденсаторы;свойства;применение в СБИС
Issue Date: 2003
Publisher: БГУИР
Citation: Петлицкая, Т. В. МОП-конденсаторы повышенной емкости для субмикронных СБИС / Т. В. Петлицкая // Доклады БГУИР. - 2003. - № 1. - С. 70 - 74.
Abstract: Предложен вариант комбинированного диэлектрика SiO2/Ta2O5, для конденсаторов СБИС. Дан анализ его электрофизических и механических свойств. Рассмотрено влияние толщины каждого из диэлектриков на электрофизические свойства. Установлена зависимость изменения эффективного встроенного заряда в пленке Ta2O5 от радиуса кривизны пластины. На основании изучения характеристик тестовых конденсаторов с различными вариантами толщины пленок SiO2 и Ta2O5 определено оптимальное сочетание толщины пленок. Проведено промышленное опробование разработанного диэлектрика на экспериментальных партиях пластин.Main properties of MOS-capasitors on the basis SiO2/Ta2O5 have been investegated. The dependence of effective installed charge in Ta2O5 thin film on wafer radius has been obtained. Test capasitors were created within VLSIs in standard industrial conditions.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30783
Appears in Collections:№1

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Petlitskaya_MOP.pdf227.97 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.