Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42927
Title: Способ формирования пленок бинарных полупроводниковых соединений групп AІІBVІ или AІVBVІ на подложках из монокристаллического кремния
Other Titles: Пат. 17212 Респ. Беларусь
Authors: Бондаренко, В. П.
Клышко, А. А.
Чубенко, Е. Б.
Keywords: патенты;электронная техника;полупроводниковые приборы;бинарные полупроводниковые соединения
Issue Date: 2013
Publisher: Национальный центр интеллектуальной собственности, РБ
Citation: Способ формирования пленок бинарных полупроводниковых соединений групп AІІBVІ или AІVBVІ на подложках из монокристаллического кремния : пат. 17212 Респ. Беларусь : МПК (2006) C 30B 29/10, C 25D 9/08, H 01L 21/02 / Бондаренко В. П., Клышко А. А., Чубенко Е. Б. ; заявитель и патентообладатель УО Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – № a 20101310 ; заявл. 30.04.2012 ; опубл. 30.06.2013. – 7 с. : ил.
Abstract: Способ формирования пленки бинарного полупроводникового соединения групп AIIBVI или AVBVI на поверхности монокристаллической кремниевой пластины, при котором непосредственно в кремниевой пластине формируют буферный слой, представляющий собой слой мезопористого кремния толщиной 0,5-5,0 мкм, и осаждают на него пленку бинарного полупроводникового соединения групп AIIBVI или AIVBVI методом катодного электрохимического осаждения. Способ по п. 1, отличающийся тем, что сформированный буферный слой дополнительно покрывают методом катодного электрохимического осаждения слоем металла, выбранного из ряда, включающего никель, кобальт, медь, палладий, серебро и их сплавы, толщиной 0,01-0,5 мкм. Способ по п.1, отличающийся тем, что буферный слой мезопористого кремния формируют анодной обработкой кремниевой пластины в водном растворе электролита, содержащем фтороводородную кислоту.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42927
Appears in Collections:Изобретения

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
17212.pdf122.88 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.