Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/47230
Title: Формирование функционального слоя интегральной микросхемы реактивно-ионным травлением
Other Titles: Formation of the functional layer of the integrated microcircuit by reactive-ion etching
Authors: Емельянов, В. В.
Emelyanov, V. V.
Keywords: материалы конференций;реактивно-ионное травление;микроэлектроника;нитрид кремния;поликристаллический кремний;интегральные схемы;reactive-ion etch;microelectronics;silicon nitride;polycrystalline silicon;integrated circuit
Issue Date: 2022
Publisher: БГУИР, РБ
Citation: Емельянов, В. В. Формирование функционального слоя интегральной микросхемы реактивно-ионным травлением / В. В. Емельянов // Электронные системы и технологии [Электронный ресурс] : сборник материалов 58-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 18-22 апреля 2022 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Д. В. Лихаческий [и др.]. – Минск, 2022. – С. 396–399. – Режим доступа : https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/46926.
Abstract: Путем экспериментальных исследований получен процесс селективного реактивно-ионного травления нитрида кремния к поликристаллическому кремнию, позволяющий достичь наилучшего профиля и скорости травления нитрида кремния при формировании слоя разделения. Исследована зависимость скорости травления от внешних характеристик разряда (мощности, давления и состава рабочих газов).Through experimental studies, a process of selective reactive-ion etching of silicon nitride to polycrystalline silicon was obtained, which makes it possible to achieve the best profile and rate of etching of silicon nitride during the formation of a separation layer. The dependence of the etching rate on the external characteristics of the discharge (power, pressure, and composition of the working gases) has been studied.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/47230
Appears in Collections:Электронные системы и технологии : материалы 58-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2022)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Emelyyanov_Formirovaniye.pdf281.75 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.