Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5044
Title: Разработка процессов формирования высокоинтегрированных структур полевых транзисторов для силовой электроники
Other Titles: Development of the Processes for Formation of Highly-Integrated FET Structures for Power Management
Authors: Рубцевич, И. И.
Keywords: полевой транзистор;ДМОП-транзистор;силовая электроника;ячейка кристалла;структура;топология;расчет;электрические параметры;технологический процесс;электростатическое воздействие;FET;DMOS transistor;power management;chip cell;structure;topology;computation;electrical parameters;process;ESD impact
Issue Date: 2005
Publisher: БГУИР
Citation: Рубцевич, И. И. Разработка процессов формирования высокоинтегрированных структур полевых транзисторов для силовой электроники : автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / И. И. Рубцевич; науч. рук. С. В. Бордусов. - Мн.: БГУИР, 2005. - 23 с.
Abstract: Установлены корреляционные зависимости между физико-топологическими пара-метрами высоковольтных и сильнотоковых ДМОП-транзисторов вертикальной структуры и их статическими и динамическими характеристиками, такими как пороговое и пробивное напряжение, сопротивление прибора в открытом состоянии, крутизна, паразитные емкости. На основании этих зависимостей разработан и программно реализован оптимизационный алгоритм расчета структуры элементарной ячейки высокоинтегрированного ДМОП-транзистора и технологические режимы ее формирования, обеспечивающие задаваемые электрические параметры приборов.The correlation dependencies of physical and topological parameters of high-voltage and high-current vertical DMOS transistors versus their static and dynamic characteristics such as threshold and breakdown voltages, on-resistance of the device, forward transconductance, parasitic capacitances have been defined. Based on those dependencies, an optimization algorithm for computation of the structure of the elementary cell for high-integrated DMOS transistors and the process conditions of its formation, which provides the required electrical parameters of devices, have been developed and software-implemented.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5044
Appears in Collections:05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Рубцевич.pdf1.44 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.