| Title: | Разработка процессов формирования высокоинтегрированных структур полевых транзисторов для силовой электроники |
| Other Titles: | Development of the Processes for Formation of Highly-Integrated FET Structures for Power Management |
| Authors: | Рубцевич, И. И. |
| Keywords: | полевой транзистор;ДМОП-транзистор;силовая электроника;ячейка кристалла;структура;топология;расчет;электрические параметры;технологический процесс;электростатическое воздействие;FET;DMOS transistor;power management;chip cell;structure;topology;computation;electrical parameters;process;ESD impact |
| Issue Date: | 2005 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Рубцевич, И. И. Разработка процессов формирования высокоинтегрированных структур полевых транзисторов для силовой электроники : автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / И. И. Рубцевич; науч. рук. С. В. Бордусов. - Мн.: БГУИР, 2005. - 23 с. |
| Abstract: | Установлены корреляционные зависимости между физико-топологическими пара-метрами высоковольтных и сильнотоковых ДМОП-транзисторов вертикальной структуры и их статическими и динамическими характеристиками, такими как пороговое и пробивное напряжение, сопротивление прибора в открытом состоянии, крутизна, паразитные емкости. На основании этих зависимостей разработан и программно реализован оптимизационный алгоритм расчета структуры элементарной ячейки высокоинтегрированного ДМОП-транзистора и технологические режимы ее формирования, обеспечивающие задаваемые электрические параметры приборов. |
| Alternative abstract: | The correlation dependencies of physical and topological parameters of high-voltage and high-current vertical DMOS transistors versus their static and dynamic characteristics such as threshold and breakdown voltages, on-resistance of the device, forward transconductance, parasitic capacitances have been defined. Based on those dependencies, an optimization algorithm for computation of the structure of the elementary cell for high-integrated DMOS transistors and the process conditions of its formation, which provides the required electrical parameters of devices, have been developed and software-implemented. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5044 |
| Appears in Collections: | 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
|
