Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item:
Title: Влияние слабых магнитных полей на свойства границы кремний-оксид кремния
Other Titles: Low magnetic fields influence on the properties of silicon silicone-oxide interface
Authors: Нерейко, А. И.
Keywords: автореферат диссертаций;граница раздела;оксид кремния;слабое магнитное поле;interface;silicon oxide;low magnetic field;charge transport
Issue Date: 2000
Publisher: БГУИР
Citation: Нерейко, А. И. Влияние слабых магнитных полей на свойства границы кремний-оксид кремния: автореф. дисс. ... кандидата физико-математических наук :05.27.01/ А. И. Нерейко; науч. рук. В. Е. Борисенко. - Мн.: БГУИР, 2000. - 16 с.
Abstract: Разработан принцип и система автоматизированного контроля параметров МДП структур при воздействии слабых магнитных полей (СМП), приводящего к долговременным изменениям их параметров с применением алгоритма согласованного выборочного анализа.
Alternative abstract: Proposed is a principle and system of automated control of parameters of metal- insulator- semiconductor (MIS) structures exposed to low magnetic fields (LMF) which causes long-term variation of their parameters; the algorithm of the consistent sampling analysis is proposed
Appears in Collections:05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Нарейко.pdf1.42 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.