Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5271
Title: Многослойные структуры на основе нитрида кремния для мембранных микроэлектромеханнческих систем и полупроводниковых приборов
Other Titles: Multilayer structures based on silicon nitride for membranes of microelectromechanical systems and semicondnctor devices
Authors: Ковальчук, Н. С.
Keywords: авторефераты диссертаций;многослойные структуры;мембрана;полупроводниковые приборы;нитрид кремния;остаточные напряжения;никель;платина;анодированный алюминий;ионно-лучевая обработка;multilayered structures;membrane;semi-conductor devices;silicon nitride;residual tension;nickel;platinum;anodized aluminum;ion-beam processing
Issue Date: 2012
Publisher: БГУИР
Citation: Ковальчук, Н. С. Многослойные структуры на основе нитрида кремния для мембранных микроэлектромеханнческих систем и полупроводниковых приборов: автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / Н. С. Ковальчук; науч. рук. Л. П. Ануфриев. - Мн.: БГУИР, 2012. - 21 с.
Abstract: Цель работы: исследование и разработка конструкций, технологических маршрутов и выбор режимов изготовления сбалансированных по остаточным напряжениям многослойных структур полупроводниковых приборов и мембран микроэлектромеханических устройств.The aim of the wort, research and development of structures, process routes and choice of modes of production balanced by the residual stress of multilayer structures of semiconductor devices and MEMS membrane devices.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5271
Appears in Collections:05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Ковальчук.pdf1.27 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.