https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5271| Название: | Многослойные структуры на основе нитрида кремния для мембранных микроэлектромеханнческих систем и полупроводниковых приборов |
| Другие названия: | Multilayer structures based on silicon nitride for membranes of microelectromechanical systems and semicondnctor devices |
| Авторы: | Ковальчук, Н. С. Kovalchuk, N. S. |
| Ключевые слова: | авторефераты диссертаций многослойные структуры мембрана полупроводниковые приборы нитрид кремния остаточные напряжения никель платина анодированный алюминий ионно-лучевая обработка multilayered structures membrane semi-conductor devices silicon nitride residual tension nickel platinum anodized aluminum ion-beam processing |
| Дата публикации: | 2012 |
| Издательство: | БГУИР |
| Библиографическое описание: | Ковальчук, Н. С. Многослойные структуры на основе нитрида кремния для мембранных микроэлектромеханнческих систем и полупроводниковых приборов: автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / Н. С. Ковальчук; науч. рук. Л. П. Ануфриев. - Мн.: БГУИР, 2012. - 21 с. |
| Краткий осмотр (реферат): | Цель работы: исследование и разработка конструкций, технологических маршрутов и выбор режимов изготовления сбалансированных по остаточным напряжениям многослойных структур полупроводниковых приборов и мембран микроэлектромеханических устройств.The aim of the wort, research and development of structures, process routes and choice of modes of production balanced by the residual stress of multilayer structures of semiconductor devices and MEMS membrane devices. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5271 https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5271 |
| Располагается в коллекциях: | 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах |
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Ковальчук.pdf | 1,27 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.