Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item:
Title: Формирование субмикронных кмоп структур с повышенной точностью критических размеров методами проекционной фотолитографии
Other Titles: Patterning of the submicron CMOS structures with tight CD control specifications using optical microlithography
Authors: Коробко, Ю. О.
Keywords: авторефераты диссертаций;микроэлектроника;субмикронная фотолитография;фотошаблоны;численное моделирование;элементы интегральных микросхем;контроль критических размеров;топология;microelectronics;submicron photolithography;reticle;numerical modeling;1С elements;CD control;layout
Issue Date: 2005
Publisher: БГУИР
Citation: Коробко, Ю. О. Формирование субмикронных кмоп структур с повышенной точностью критических размеров методами проекционной фотолитографии: автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / Ю. О. Коробко; науч. рук. А. П. Достанко. - Мн.: БГУИР, 2005. - 22 с.
Abstract: Целью диссертационной работы является исследование влияния ошибок топологии на выходные характеристики ИМС и разработка с помощью фазосмещающих фотошаблонов методов минимизации их влияния на формируемые КМОП структуры с топологическими нормами проектирования 0,25 мкм и менее при использовании фотолитографического оборудования предшествующего поколения. The aim of the thesis is to investigate the impact of the defects of the layout on the characteristics of 1С and to develop with the help of phase shift masks methods to minimize their influence forming KMOS structures with layout standards of design 250 nm and below using facilities of the previous generation.
Appears in Collections:05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Коробко Юлия Олеговна.pdf1.26 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.