Репозиторий БГУИР: Browsing DSpace

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
or enter first few letters:

Showing results 1 to 20 of 31 next >

Issue Date	Title	Author(s)
2020	Output Characteristics of Graphene Field Effect Transistors	Mishchenka, V. N.
2020	Адаптация к пространственной ориентации объектов в задаче сигнально-траекторного распознавания классов	Ярмолик, С. Н.; Зайко, Е. В.; Свинарский, М. В.; Леонович, А. С.
2023	Влияние рассеяния заряженных частиц на рабочем газе на профиль выработки мишени при магнетронном распылении	Шекелевский, В. В.; Котов, Д. А.
1981	Генератор псевдослучайных чисел	Леусенко, А. Е.; Ярмолик, В. Н.; Морозевич, А. Н.
2019	Интенсивности рассеивания носителей заряда в графене, расположенном на подложке из гексогонального нитрида бора	Муравьев, В. В.; Мищенко, В. Н.
2012	Использование численного метода интегрирования Монте-Карло для аппроксимации плотностей вероятности	Парахневич, А. В.; Солонар, А. С.; Горшков, С. А.
2004	Исследование особенностей переноса электронов в полупроводниковых приборах на основе GaN	Муравьев, В. В.; Тамело, А. А.; Мищенко, В. Н.
2004	К использованию стохастического подхода для синтеза параболической дифференциальной системы в режиме реального времени	Арико, И. В.; Борзенков, А. В.
2017	Методика анализа показателей качества устройства последовательного распознавания радиолокационных объектов	Храменков, А. С.; Ярмолик, С. Н.; Солонар, А. С.
2008	Моделирование полупроводниковых приборных структур методом Монте-Карло. Подход с использованием технологии объектно-ориентированного программирования	Сперанский, Д. С.; Борздов, В. М.
2018	Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре на основе графена	Муравьев, В. В.; Мищенко, В. Н.
2011	Моделирование рассеяния электронов на ионизированной примеси в полупроводниках и полупроводниковых структурах методом Монте-Карло	Сперанский, Д. С.; Борздов, В. М.; Поздняков, Д. В.
2015	Моделирование дрейфовой скорости электронов в GaAs/AlxGa1-xAs гетероструктуре с использованием метода Монте-Карло	Мищенко, В. Н.
2003	Моделирование многоостровковых структур, функционирующих на эффекте одноэлектронного туннелирования	Игнатенко, С. А.
2013	Моделирование плазменных эффектов в полупроводниковых гетероструктурах при низких температурах: отчет о НИР (заключ.)	Муравьев, В. В.; Тамело, А. А.; Кореневский, С. А.; Шалатонин, В. И.; Мищенко, В. Н.; Молодкин, Д. Ф.; Журавлев, Д. В.; Матвеев, Д. И.; Лебедев, В. М.
2016	Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре из GaN	Мищенко, В. Н.
2017	Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре из карбида кремния	Муравьев, В. В.; Мищенко, В. Н.
2020	Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре с использованием графена и нитрида бора	Муравьев, В. В.; Мищенко, В. Н.
2015	Моделирование средней дрейфовой скорости электронов в одномерной структуре из арсенида галлия	Мищенко, В. Н.
2008	Моделирование точности выходных параметров РЭУ с различными законами распределения первичных параметров	Иокуш, Ю. В.; Боровиков, С. М.

Showing results 1 to 20 of 31 next >

Browsing by Subject метод Монте-Карло