Skip navigation

Browsing by Subject имитационные воздействия

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
 
Showing results 1 to 8 of 8
Issue DateTitleAuthor(s)
2005Выбор имитационных воздействий в задачах прогнозирования постепенных отказов полупроводниковых приборовБересневич, А. И.; Боровиков, С. М.
2021Выбор имитационных факторов для моделирования постепенных отказов биполярных транзисторов большой мощностиКалита, Е. В.; Бересневич, А. И.; Боровиков, С. М.; Borovikov, S. M.
2022Моделирование постепенных отказов биполярных транзисторов с использованием электрических нагрузок в качестве имитационного воздействияКалита, Е. В.; Бересневич, А. И.
2003Принципы моделирования информативных параметров полупроводниковых приборовБоровиков, С. М.; Карнаушенко, А. В.; Зорин, Д. В.
2022Прогнозирование надежности биполярных транзисторов большой мощности для электронных средств защиты информации длительного функционированияКалита, Е. В.; Бересневич, А. И.; Боровиков, С. М.
2003Прогнозирование надежности полупроводниковых приборов методом имитационного моделированияБоровиков, С. М.; Щерба, А. И.
2016Прогнозирование параметрической надёжности ИЭТ методом имитационных воздействийСтанюш, Иван Павлович
2005Эффективность прогнозирования постепенных отказов биполярных транзисторов методом имитационных воздействийБоровиков, С. М.; Мандик, Н. Е.