Skip navigation

Browsing by Author Стемпицкий, В. Р.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
 
Showing results 60 to 74 of 74 < previous 
Issue DateTitleAuthor(s)
2011Система электронного обучения софийского технического университетаВидеков, В. Х.; Радонов, Р. И.; Заимов, К. А.; Стемпицкий, В. Р.
2010Статистические аспекты сквозного моделирования ИМСЧан Туан Чунг; Нелаев, В. В.; Стемпицкий, В. Р.
2002Статистический анализ и оптимизация технологических параметров изготовления интегральных микросхем: учебно-метод. пособие для курсов лекций и лабораторных работ по дисциплинам "Расчет и проектирование элементов ин тегральных схем и полупроводниковых приборов", "Основы САПР в микро электронике", "Моделирование технологических процессов микроэлектроники" для студентов специальности 41 01 02 "Микроэлектроника"Нелаев, В. В.; Стемпицкий, В. Р.
2012Схемотехническое проектирование аналоговых интегральных микросхем : пособие по дисц. «Проектирование схемотехники интегральных микросхем» для студентов специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы» всех форм обученияДворников, О. В.; Стемпицкий, В. Р.; Прокопенко, Н. Н.
2017Технологические и конструктивные решения высокочастотных, мощных и оптоэлектронных приборов на основе нитрида галлияЛовшенко, И. Ю.; Волчек, В. С.; Дао Динь Ха; Ханько, В. Т.; Омер, Д. С.; Стемпицкий, В. Р.
2004Технологическое проектирование интегральных схем. Программа SSuprem 4: учеб. пособие для курсов лекций и лаб. работ по дисц. “Расчет и проектирование элементов интегральных схем и полупроводниковых приборов”, “Основы САПР в микроэлектронике”, “Моделирование технологических процессов микроэлектроники” для студ. спец. 41 01 02 “Микро- и наноэлектронные технологии и системы”, 41 01 03 “Квантовые информационные системы” всех форм обученияНелаев, В. В.; Стемпицкий, В. Р.
2021Учет воздействия протонов при анализе электрических характеристик арсенид-галлиевого полевого транзистораЛовшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.; Lovshenko, I. Y.; Stempitsky, V. R.
2014Ферромагнетизм наноструктурированного оксида цинкаЗеленина, М. С.; Козлова, О. А.; Стемпицкий, В. Р.; Баркалин, В. В.
2018Частотные характеристики интегральных датчиков ХоллаДао Динь Ха; Стемпицкий, В. Р.
2017Электрическая модель 90-нанометрового МОП-транзистораБоровик, А. М.; Ханько, В. Т.; Стемпицкий, В. Р.
2010Электрическая модель ячейки памяти на эффекте туннельного магнитосопротивленияКостров, А. И.; Стемпицкий, В. Р.; Родина, Т. Н.; Данилюк, А. Л.; Борисенко, В. Е.
2015Электрические и электронные компоненты устройств и систем. Лабораторный практикум : пособиеБаранов, В. В.; Логин, В. М.; Серенков, В. Ю.; Стемпицкий, В. Р.
2020Электронные и магнитные свойства перовскитов АВO3 (A – Ca, Ce, Y, Na; B – Ti, Nb, Fe, Mn, Ta; O)Проскурова, П. А.; Гвоздовский, Д. Ч.; Баранова, М. С.; Стемпицкий, В. Р.
2020Электронные свойства наноструктурированного оксида ниобия с термически активированными точечными дефектамиГвоздовский, Д. Ч.; Стемпицкий, В. Р.; Stempitsky, V. R.
2017Энергетическая зонная диаграмма слоистых гетеросистем графен–ZnO, графен–ZnS: квантово-механическое моделированиеБаранова, М. С.; Скачкова, В. А.; Гвоздовский, Д. Ч.; Стемпицкий, В. Р.