Skip navigation

Browsing by Author Чеховский, В. А.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
or enter first few letters:  
Showing results 1 to 12 of 12
Issue DateTitleAuthor(s)
2020Анализ результатов проектирования считывающей электроники кремниевых умножителей на основе базового матричного кристалла МН2ХА030Дворников, О. В.; Чеховский, В. А.; Галкин, Я. Д.; Кунц, А. В.; Стемпицкий, В. Р.; Прокопенко, Н. Н.
2012Влияние гамма-излучения на элементы аналоговых интегральных схемДворников, О. В.; Чеховский, В. А.; Дятлов, В. Л.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.
2021Влияние проникающей радиации на параметры аналоговых компонентов базового матричного кристалла МН2ХА030Дворников, О. В.; Чеховский, В. А.; Дятлов, В. Л.; Галкин, Я. Д.; Прокопенко, Н. Н.
2021Низкотемпературный мультидифференциальный операционный усилительДворников, О. В.; Чеховский, В. А.; Дятлов, В. Л.; Кунц, А. В.; Прокопенко, Н. Н.
2012Обеспечение радиационной стойкости аналоговых интегральных схемДворников, О. В.; Чеховский, В. А.; Дятлов, В. Л.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.
2022Особенности проектирования зарядочувствительных усилителей на арсенид-галлиевом базовом кристаллеДворников, О. В.; Чеховский, В. А.; Кунц, А. В.; Павлючик, А. А.
2019Радиационно- стойкий компаратор напряжений на базовом матричном кристалле МН2ХА030Дворников, О. В.; Чеховский, В. А.; Галкин, Я. Д.; Кунц, А. В.
2021Схемотехнические особенности мультидифференциального операционного усилителяКунц, А. В.; Чеховский, В. А.
2019Схемотехническое моделирование зарядочувствительного усилителяДворников, О. В.; Чеховский, В. А.; Галкин, Я. Д.; Кунц, А. В.
2022Улучшенная модель двухзатворного JFET для аналоговых интегральных микросхемГалкин, Я. Д.; Дворников, О. В.; Чеховский, В. А.
2021Экспериментальные исследования и модель двухзатворного JFET для аналоговых интегральных микросхемГалкин, Я. Д.; Дворников, О. В.; Чеховский, В. А.; Прокопенко, Н. Н.
2021Экспериментальные исследования параметров операционного усилителя OAmp2Галкин, Я. Д.; Чеховский, В. А.