Skip navigation

Browsing by Subject полевые транзисторы

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
 
Showing results 1 to 20 of 30  next >
Issue DateTitleAuthor(s)
2020Output Characteristics of Graphene Field Effect TransistorsMishchenka, V. N.
2023Алгоритм и программа, реализующие модель полевых транзисторов на двухслойном графенеАбрамов, И. И.; Коломейцева, Н. В.; Щербакова, И. Ю.
2022Влияние подзатворного диэлектрика на характеристики полевых транзисторов на графенеЕрмак, В. О.
2023Вольт амперные характеристики полевых транзисторов на графене с различными подзатворными диэлектриками: результаты теоретического моделированияЕрмак, В. О.
1974Генератор импульсовКешишьян, В. А.
2019Графеновый полевой транзисторМищенко, В. Н.; Муравьев, В. В.; Павлючек, А. А.
2015Дифференциальный метод анализа полевых транзисторовМясников, Г. А.
1999Лабораторный практикум по курсу "Электронные приборы" для студентов всех специальностей БГУИР. В 2 Ч. Ч. 2. Аналоговые и импульсные устройстваБельский, А. Я.; Березовский, В. К.; Валенко, В. С.; Дробот, С. В.; Дунаева, Г. П.; Мельников, В. А.; Путилин, В. Н.; Русакович, В. Н.; Ткаченко, Ф. А.; Хандогин, М. С.
2018Моделирование выходных характеристик полевых транзисторов с использованием монослоя графенаМуравьев, В. В.; Мищенко, В. Н.
2017Моделирование полевых графеновых транзисторов с одним и двумя затворамиАбрамов, И. И.; Коломейцева, Н. В.; Лабунов, В. А.; Романова, И. А.
2023Моделирование приборных структур наноэлектроники на основе 2D-материаловАбрамов, И. И.; Коломейцева, Н. В.; Лабунов, В. А.; Романова, И. А.; Щербакова, И. Ю.
2008Мощные и СВЧ полупроводниковые приборы : учеб. - метод. пособиеКолосницын, Б. С.
2020Особенности построения усилителей сигналов с большим значением пик-фактора для энергоэффективных передатчиковТитович, Н. А.; Ильинский, Е. С.; Бобровничая, Т. А.
2014Пассивация полевых транзисторов на GaAsТелеш, Е. В.; Достанко, А. П.
2015Пассивация полевых транзисторов с барьером Шоттки на арсениде галлия с применением ионно-лучевого распыления диэлектрических мишенейТелеш, Е. В.
2021Полевой транзистор с использованием графена и гексогонального нитрида бораМищенко, В. Н.; Муравьев, В. В.; Павлючик, А. А.
2016Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхемКолосницын, Б. С.; Гапоненко, Н. В.
2012Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем : учебно - метод. пособие : в 2 ч. Ч. 2 : Расчет и проектирование полевых транзисторовКолосницын, Б. С.; Гапоненко, Н. В.
2010Прибор для определения коэффициента передачи тока транзисторовДеткова, Р. М.; Смирнова, Н. А.
2023Проектирование BJT-JFET операционных усилителей на базовом матричном кристаллеКунц, А. В.; Дворников, О. В.; Чеховский, В. А.