Skip navigation

Browsing by Author Stempitsky, V. R.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
or enter first few letters:  
Showing results 21 to 30 of 30 < previous 
Issue DateTitleAuthor(s)
2013Screening design and device/technology deep- submicron MOSFET simulationBorovik, A. M.; Trung Tran Tuan; Stempitsky, V. R.
2013Simulation of interaction between bacillus subtilis bacteria and silicon surfaceNelayev, V. V.; Burko, V.; Stempitsky, V. R.; Kolomiets, E.; Kuptsov, V.; Berezhnaya, A.
2018Spin splitting in band structures of BiTeX (X=Cl, Br, I) monolayersHvazdouski, D. C.; Baranava, M. S.; Stempitsky, V. R.
2021Studying the influence of microbolometer structure and geometry on the parameters of infrared detectorsTran Van Trieu; Lovshenko, I. Yu.; Sadchenko, V.; Stempitsky, V. R.
2021Temperature dependence of the thermal conductivity of wurtzite aluminum nitride, gallium nitride and aluminum-gallium nitrideVolcheck, V. S.; Hvazdouski, D. C.; Baranava, M. S.; Stempitsky, V. R.
2021The proton flux influence on electrical characteristics of a dual-channel hemt based on GaAsLovshenko, I.; Voronov, A.; Roshchenko, P. S.; Ternov, R.; Stempitsky, V. R.
2021The proton flux influence on electrical characteristics of a dual-channel hemt based on GaAsLovshenko, I. Yu.; Voronov, A. Yu.; Roshchenko, P. S.; Ternov, R. E.; Galkin, Y. D.; Kunts, A. V.; Stempitsky, V. R.; Jinshun Bi
2021Учет воздействия протонов при анализе электрических характеристик арсенид-галлиевого полевого транзистораЛовшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.; Lovshenko, I. Y.; Stempitsky, V. R.
2015Электрические и электронные компоненты устройств и систем. Лабораторный практикум : пособиеБаранов, В. В.; Логин, В. М.; Серенков, В. Ю.; Стемпицкий, В. Р.; Stempitsky, V. R.
2020Электронные свойства наноструктурированного оксида ниобия с термически активированными точечными дефектамиГвоздовский, Д. Ч.; Стемпицкий, В. Р.; Stempitsky, V. R.