Репозиторий БГУИР: Browsing DSpace

Browsing by Author Stempitsky, V. R.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
or enter first few letters:

Showing results 24 to 33 of 33 < previous

Issue Date	Title	Author(s)
2013	Screening design and device/technology deep- submicron MOSFET simulation	Borovik, A. M.; Trung Tran Tuan; Stempitsky, V. R.
2013	Simulation of interaction between bacillus subtilis bacteria and silicon surface	Nelayev, V. V.; Burko, V.; Stempitsky, V. R.; Kolomiets, E.; Kuptsov, V.; Berezhnaya, A.
2018	Spin splitting in band structures of BiTeX (X=Cl, Br, I) monolayers	Hvazdouski, D. C.; Baranava, M. S.; Stempitsky, V. R.
2021	Studying the influence of microbolometer structure and geometry on the parameters of infrared detectors	Tran Van Trieu; Lovshenko, I. Yu.; Sadchenko, V.; Stempitsky, V. R.
2021	Temperature dependence of the thermal conductivity of wurtzite aluminum nitride, gallium nitride and aluminum-gallium nitride	Volcheck, V. S.; Hvazdouski, D. C.; Baranava, M. S.; Stempitsky, V. R.
2021	The proton flux influence on electrical characteristics of a dual-channel hemt based on GaAs	Lovshenko, I.; Voronov, A.; Roshchenko, P. S.; Ternov, R.; Stempitsky, V. R.
2021	The proton flux influence on electrical characteristics of a dual-channel hemt based on GaAs	Lovshenko, I. Yu.; Voronov, A. Yu.; Roshchenko, P. S.; Ternov, R. E.; Galkin, Y. D.; Kunts, A. V.; Stempitsky, V. R.; Jinshun Bi
2022	Thermal conductivity of wurtzite gallium nitride	Volcheck, V. S.; Baranava, M. S.; Stempitsky, V. R.
2021	Учет воздействия протонов при анализе электрических характеристик арсенид-галлиевого полевого транзистора	Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.; Lovshenko, I. Y.; Stempitsky, V. R.
2020	Электронные свойства наноструктурированного оксида ниобия с термически активированными точечными дефектами	Гвоздовский, Д. Ч.; Стемпицкий, В. Р.; Stempitsky, V. R.

Showing results 24 to 33 of 33 < previous