Skip navigation

Browsing by Author Стемпицкий, В. Р.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я or enter first few letters:  
Showing results 1 to 20 of 79  next >
Issue DateTitleAuthor(s)
2018Ab initio simulation of graphene interaction with SiO2 substrate for nanoelectronics applicationHvazdouski, D. C.; Stempitsky, V. R.; Гвоздовский, Д. Ч.; Стемпицкий, В. Р.
2018Direct exchange interaction of cobalt chains in zinc oxide: model approachBaranava, M. S.; Danilyuk, A. L.; Stempitsky, V. R.; Баранова, М. С.; Данилюк, А. Л.; Стемпицкий, В. Р.
2018Electronic and optic properties of transition metal dichalcogenides (MoS2, WSe2) and graphene heterostructuresBaranava, M. S.; Hvazdouski, D. C.; Stempitsky, V. R.; Volchek, S. A.; Najbuk, M.; Баранова, М. С.; Гвоздовский, Д. Ч.; Стемпицкий, В. Р.; Волчек, С. А.
2017Electronic properties of graphene-based heterostructuresSkachkova, V. A.; Baranava, M. S.; Hvazdouski, D. C.; Stempitsky, V. R.; Скачкова, В. А.; Баранова, М. С.; Гвоздовский, Д. Ч.; Стемпицкий, В. Р.
2017Electronic properties of graphene-based heterostructuresSkachkova, V. A.; Baranava, M. S.; Hvazdouski, D. C.; Stempitsky, V. R.; Скачкова, В. А.; Баранова, М. С.; Гвоздовский, Д. Ч.; Стемпицкий, В. Р.
2017Electrophysical properties of transition metals chalcogenides structures used as structural elements of the nanoelectronics devicesBaranava, M. S.; Najbuk, M.; Hvazdouski, D. C.; Stempitsky, V. R.; Баранова, М. С.; Гвоздовский, Д. Ч.; Стемпицкий, В. Р.
2017Exchange interaction in zinc oxide doped by cobaltBaranava, M. S.; Danilyuk, A. L.; Stempitsky, V. R.; Баранова, М. С.; Данилюк, А. Л.; Стемпицкий, В. Р.
2020GaN HEMT Thermal Characteristics Evaluation Using an Integrated Approach Based on the Combined Use of First-Principles and Device SimulationsBaranаva, M. S.; Hvazdouski, D. C.; Volcheck, V. S.; Stempitsky, V. R.; Dinh, D.; Tran Tuan, T.; Баранова, М. С.; Гвоздовский, Д. Ч.; Волчек, В. С.; Стемпицкий, В. Р.
2020Magnetic interactions in Cr2Ge2Te6 and Cr2Si2Te6 monolayers: ab initio studyBaranava, M. S.; Hvazdouski, D. C.; Skachkova, V. A.; Stempitsky, V. R.; Danilyuk, A. L.; Баранова, М. С.; Гвоздовский, Д. Ч.; Скачкова, В. А.; Стемпицкий, В. Р.; Данилюк, А. Л.
2017Parallel computing environment for digital devices simulation and VLSI topology verificationBelous, A. I.; Solodukha, V.; Shvedov, S.; Borovik, A. M.; Kostrov, A. I.; Stempitsky, V. R.; Белоус, А. И.; Боровик, А. М.; Костров, А. И.; Стемпицкий, В. Р.
2013Screening design and device/technology deep- submicron MOSFET simulationBorovik, A. M.; Trung Tran Tuan; Stempitsky, V. R.; Боровик, А. М.; Стемпицкий, В. Р.
2013Simulation of interaction between bacillus subtilis bacteria and silicon surfaceNelayev, V. V.; Burko, V.; Stempitsky, V. R.; Kolomiets, E.; Kuptsov, V.; Berezhnaya, A.; Нелаев, В. В.; Бурко, В. А.; Стемпицкий, В. Р.
2018Spin splitting in band structures of BiTeX (X=Cl, Br, I) monolayersHvazdouski, D. C.; Baranava, M. S.; Stempitsky, V. R.; Гвоздовский, Д. Ч.; Баранова, М. С.; Стемпицкий, В. Р.
2020Анализ результатов проектирования считывающей электроники кремниевых умножителей на основе базового матричного кристалла МН2ХА030Дворников, О. В.; Чеховский, В. А.; Галкин, Я. Д.; Кунц, А. В.; Стемпицкий, В. Р.; Прокопенко, Н. Н.; Dvornikov, O. V.; Tchekhovski, V. A.; Galkin, Y. D.; Kunts, A. V.; Stempitski, V. R.; Prokopenko, N. N.
2016Биполярный транзистор с изолированным затвором, изготовленный в объемном кремнии и по технологии «Кремний на изоляторе»Шелибак, И.; Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.; Shelibak, I.; Lovshenko, I. Yu.; Stempitsky, V. R.
2016Интегральный трехмерный магнитометр на основе датчиков Холла, изготовленный по стандартной КМОП технологииДао Динь Ха; Волчек, В. С.; Баранова, М. С.; Ловшенко, И. Ю.; Гвоздовский, Д. Ч.; Стемпицкий, В. Р.; Dao Dinh Ha; Volchek, V. S.; Baranava, M. S.; Lovshenko, I. Yu.; Hvazdouski, D. C.; Stempitsky, V. R.
2015Интернет-система управления деятельностью научно-исследовательского подразделенияСтемпицкий, В. Р.; Тимошенко, К. А.; Волчёк, С. А.
2004Исследование и оптимизация процесса осаждения пленок поликристаллического кремния, легированного германием как изовалентной примесьюБорисевич, В. М.; Ковалевский, А. А.; Нелаев, В. В.; Малышев, В. С.; Стемпицкий, В. Р.; Borisevich, V. M.; Kovalevsky, A. A.; Nelayev, V. V.; Malyshev, V. S.; Stempitsky, V. R.
2015Исследование из первых принципов структурных, электронных и магнитных свойств дефектных соединений ZnOИ ZnSnAs2,легированных переходными 3d-элементами : отчет о НИР (заключ.)Стемпицкий, В. Р.; Козлова, О. А.; Баркалин, В. В.; Долгая, Я. В.; Скачкова, В. А.; Зеленина, М. С.
2014Исследование механизма взаимодействия бактерии bacillus subtilis с поверхностью кремния посредством кванто-механических методов моделированияБурко, В. А.; Долгая, Я. В.; Стемпицкий, В. Р.; Баркалин, В. В.