Skip navigation

Browsing by Author Krivosheeva, A. V.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я or enter first few letters:  
Showing results 1 to 20 of 20
Issue DateTitleAuthor(s)
2009Ab initio investigation of CO adsorption on self-assembled Pt nanowires on Ge(001)Krivosheeva, A. V.; Borisenko, V. E.
2015Band gap modifications of two-dimensional defected MoS2Borisenko, V. E.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Lazzari, J. L.; Skorodumova, N. V.; Tay, B. K.
2017Calculation of phonon spectra of two-dimensional crystals of molybdenum disulfide and ditellurideAlexeev, A. Yu.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Borisenko, V. E.
2019Charge properties of a MOS transistor structure with a channel made of a two-dimensional crystalMakovskaya, T. I.; Danilyuk, A. L.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Borisenko, V. E.; Данилюк, А. Л.; Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е.
2017Effect of pressure on electronic and optical properties of magnesium silicide and germanideShaposhnikov, V. L.; Krivosheeva, A. V.; Borisenko, V. E.
2014Electronic and dynamical properties of bulk and layered MoS2Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Borisenko, V. E.; Lazzari, J. L.
2017Electronic properties of thin BaSi2 films with different orientationsMigas, D. B.; Bogorodz, V. O.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Filonov, A. B.; Borisenko, V. E.
2019Electronic properties of WS2/WSe2 heterostructure containing Te impurity: the role of substituting positionKrivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Borisenko, V. E.; Lazzari, J. L.
2019Impact of Defects on Electronic Properties of Heterostructures Constructed From Monolayers of Transition Metal DichalcogenidesShaposhnikov, V. L.; Krivosheeva, A. V.; Borisenko, V. E.; Lazzari, J. L.
2017Magnetic ordering in doped two-dimensional dichalcogenidesKrivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Lazzari, J.- L.
2014Magnetic properties of AII BIV CV2 chalcopyrite semiconductors doped with 3d-elementsBorisenko, V. E.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Lazzari, J. L.
2017Simulation of phonon spectra in three component two dimensional crystals of dichalcogenidesAlexeev, A. Yu.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Borisenko, V. E.
2015Theoretical study of defect impact on two-dimensional MoS2Borisenko, V. E.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Lazzari, J. L.; Waileong, C.; Gusakova, J.; Tay, B. K.
2019Атомарная структура, фундаментальные электронные, оптические и магнитные свойства низкоразмерных структур из полупроводниковБорисенко, В. Е.; Кривошеева, А. В.; Мигас, Д. Б.; Пушкарчук, В. А.; Филонов, А. Б.; Шапошников, В. Л.; Borisenko, V. E.; Krivosheeva, A. V.; Migas, D. B.; Pushkarchuk, V. A.; Filonov, A. B.; Shaposhnikov, V. L.
2016Влияние дефектов на электронные свойства структур из слоистых дихалькогенидов тугоплавких металловКривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Алексеев, А. Ю.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Alexeev, A. Yu.
2017Методика моделирования электронных свойств объемных полупроводниковых соединенийКривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Borisenko, V. E.
2007Многокристальный квантовый вычислительный модульКоролёв, А. В.; Андреенко, А. В.; Кривошеева, А. В.; Данилюк, А. Л.; Борисенко, В. Е.; Korolev, A. V.; Andreyenka, A. V.; Krivosheeva, A. V.; Danilyuk, A. L.; Borisenko, V. E.
2016Модификация ширины запрещенной зоны MoS2 при замещении атомов серы атомами теллураКривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Borisenko, V. E.
2016Перспективные полупроводниковые соединения и наноструктуры для оптоэлектроники, фотовольтаики и спинтроникиКривошеева, А. В.; Krivosheeva, A. V.
2004Полупроводниковые силициды: свойства и перспективы примененияФилонов, А. Б.; Иваненко, Л. И.; Мигас, Д. Б.; Шапошников, В. Л.; Кривошеева, А. В.; Кривошеев, А. Е.; Борисенко, В. Е.; Filonov, A. B.; Ivanenko, L. I.; Migas, D. B.; Shaposhnikov, V. L.; Krivosheeva, A. V.; Krivosheev, A. E.; Borisenko, V. E.