Skip navigation

Browsing by Author Shaposhnikov, V. L.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я or enter first few letters:  
Showing results 1 to 20 of 25  next >
Issue DateTitleAuthor(s)
2015Band gap modifications of two-dimensional defected MoS2Borisenko, V. E.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Lazzari, J. L.; Skorodumova, N. V.; Tay, B. K.; Борисенко, В. Е.; Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Скородумова, Н. В.
2017Calculation of phonon spectra of two-dimensional crystals of molybdenum disulfide and ditellurideAlexeev, A. Yu.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Borisenko, V. E.; Алексеев, А. Ю.; Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е.
2019Charge properties of a MOS transistor structure with a channel made of a two-dimensional crystalMakovskaya, T. I.; Danilyuk, A. L.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Borisenko, V. E.; Маковская, Т. И.; Данилюк, А. Л.; Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е.
2020Charge Properties of the MOS Transistor Structure with the Channel Made from a Two-Dimensional CrystalMakovskaya, T. I.; Danilyuk, A. L.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Borisenko, V. E.; Маковская, Т. И.; Данилюк, А. Л.; Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е.
2017Effect of pressure on electronic and optical properties of magnesium silicide and germanideShaposhnikov, V. L.; Krivosheeva, A. V.; Borisenko, V. E.; Шапошников, В. Л.; Кривошеева, А. В.; Борисенко, В. Е.
2014Electronic and dynamical properties of bulk and layered MoS2Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Borisenko, V. E.; Lazzari, J. L.; Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е.
2017Electronic Properties of Bulk and Monolayer TMDs: Theoretical Study Within DFT Framework (GVJ-2e Method)Gusakova, J.; Wang, X.; Shiau, L. L.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Borisenko, V. E.; Gusakov, V. E.; Tay, B. K.; Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е.
2017Electronic properties of bulk and monolayer TMDs: theoretical study within DFT framework GVJ-2e methodGusakova, J.; Wang, X.; Shiau, L. L.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Borisenko, V. E.; Gusakov, V. E.; Tay, B. K.; Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е.
2015Electronic properties of semiconducting Ca2Si silicide: From bulk to nanostructures by means of first principles calculationsBorisenko, V. E.; Migas, D. B.; Bogorodz, V. O.; Filonov, A. B.; Shaposhnikov, V. L.; Galkin, N. G.; Борисенко, В. Е.; Мигас, Д. Б.; Богородь, В. О.; Филонов, А. Б.; Шапошников, В. Л.
2017Electronic properties of thin BaSi2 films with different orientationsMigas, D. B.; Bogorodz, V. O.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Filonov, A. B.; Borisenko, V. E.; Мигас, Д. Б.; Богородь, В. О.; Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Филонов, А. Б.; Борисенко, В. Е.
2019Electronic properties of WS2/WSe2 heterostructure containing Te impurity: the role of substituting positionKrivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Borisenko, V. E.; Lazzari, J. L.; Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е.
2020Energy Band Gap tuning in Te doped WS2/WSe2 HeterostructuresKrivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Borisenko, V. V.; Lazzari, J.-L.; Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. В.
2019Impact of Defects on Electronic Properties of Heterostructures Constructed From Monolayers of Transition Metal DichalcogenidesShaposhnikov, V. L.; Krivosheeva, A. V.; Borisenko, V. E.; Lazzari, J. L.; Шапошников, В. Л.; Кривошеева, А. В.; Борисенко, В. Е.
2017Lattice thermal conductivity of transition metal dichalcogenidesAlexeev, A. Yu.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Borisenko, V. E.; Алексеев, А. Ю.; Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е.
2018Lattice thermal conductivity of transition metal dichalcogenidesAlexeev, A. Yu.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Borisenko, V. E.; Алексеев, А. Ю.; Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е.
2017Magnetic ordering in doped two-dimensional dichalcogenidesKrivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Lazzari, J.- L.; Кривошеева, А. В.
2014Magnetic properties of AII BIV CV2 chalcopyrite semiconductors doped with 3d-elementsBorisenko, V. E.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Lazzari, J. L.; Борисенко, В. Е.; Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.
2017Simulation of phonon spectra in three component two dimensional crystals of dichalcogenidesAlexeev, A. Yu.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Borisenko, V. E.; Алексеев, А. Ю.; Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е.
2017The surface energy and band structure of γ-WO3 thin filmsMigas, D. B.; Shaposhnikov, V. L.; Borisenko, V. E.; Skorodumova, N. V.; Мигас, Д. Б.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е.; Скородумова, Н. В.
2015Theoretical study of defect impact on two-dimensional MoS2Borisenko, V. E.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Lazzari, J. L.; Waileong, C.; Gusakova, J.; Tay, B. K.; Борисенко, В. Е.; Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.