Skip navigation

Browsing by Author Дворников, О. В.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
 
Showing results 1 to 17 of 17
Issue DateTitleAuthor(s)
2020Анализ результатов проектирования считывающей электроники кремниевых умножителей на основе базового матричного кристалла МН2ХА030Дворников, О. В.; Чеховский, В. А.; Галкин, Я. Д.; Кунц, А. В.; Стемпицкий, В. Р.; Прокопенко, Н. Н.
2012Влияние гамма-излучения на элементы аналоговых интегральных схемДворников, О. В.; Чеховский, В. А.; Дятлов, В. Л.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.
2021Влияние проникающей радиации на параметры аналоговых компонентов базового матричного кристалла МН2ХА030Дворников, О. В.; Чеховский, В. А.; Дятлов, В. Л.; Галкин, Я. Д.; Прокопенко, Н. Н.
2011Испытание и исследование полупроводниковых приборов и элементов интегральных схем : лаборатор. практикум по курсу «Полупроводниковые приборы и элементы интегр. микросхем» для студентов специальностей 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектр. технологии и системы», 1-41 01 03 «Квант. информ. системы» всех форм обученияГранько, С. В.; Дворников, О. В.
2021Низкотемпературный мультидифференциальный операционный усилительДворников, О. В.; Чеховский, В. А.; Дятлов, В. Л.; Кунц, А. В.; Прокопенко, Н. Н.
2012Обеспечение радиационной стойкости аналоговых интегральных схемДворников, О. В.; Чеховский, В. А.; Дятлов, В. Л.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.
2016Оптимизация конструктивно-технологических параметров элементной базы радиационно-стойких интегральных микросхемЛовшенко, И. Ю.; Дворников, О. В.; Стемпицкий, В. Р.
2016Оптимизация характеристик полевого транзистора, управляемого p-n-переходом с учетом низкотемпературных эффектовЛовшенко, И. Ю.; Дворников, О. В.
2022Особенности проектирования зарядочувствительных усилителей на арсенид-галлиевом базовом кристаллеДворников, О. В.; Чеховский, В. А.; Кунц, А. В.; Павлючик, А. А.
2024Прецизионный преобразователь переменного напряжения в постоянное по уровню среднеквадратического значенияГалкин, Я. Д.; Дворников, О. В.; Чеховский, В. А.
2023Проектирование BJT-JFET операционных усилителей на базовом матричном кристаллеКунц, А. В.; Дворников, О. В.; Чеховский, В. А.
2019Радиационно- стойкий компаратор напряжений на базовом матричном кристалле МН2ХА030Дворников, О. В.; Чеховский, В. А.; Галкин, Я. Д.; Кунц, А. В.
2023Схемотехническая модернизация операционных усилителей для увеличения скорости нарастания выходного напряженияГалкин, Я. Д.; Дворников, О. В.; Чеховский, В. А.; Прокопенко, Н. Н.
2019Схемотехническое моделирование зарядочувствительного усилителяДворников, О. В.; Чеховский, В. А.; Галкин, Я. Д.; Кунц, А. В.
2012Схемотехническое проектирование аналоговых интегральных микросхем : пособие по дисц. «Проектирование схемотехники интегральных микросхем» для студентов специальности 1-41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы» всех форм обученияДворников, О. В.; Стемпицкий, В. Р.; Прокопенко, Н. Н.
2022Улучшенная модель двухзатворного JFET для аналоговых интегральных микросхемГалкин, Я. Д.; Дворников, О. В.; Чеховский, В. А.
2021Экспериментальные исследования и модель двухзатворного JFET для аналоговых интегральных микросхемГалкин, Я. Д.; Дворников, О. В.; Чеховский, В. А.; Прокопенко, Н. Н.