Skip navigation

Browsing by Author Stempitsky, V. R.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
or enter first few letters:  
Showing results 19 to 38 of 49 < previous   next >
Issue DateTitleAuthor(s)
2017Parallel computing environment for digital devices simulation and VLSI topology verificationBelous, A. I.; Solodukha, V.; Shvedov, S.; Borovik, A. M.; Kostrov, A. I.; Stempitsky, V. R.
2019Physic-topological (electrical) model of a junction field effect transistor, taking into account the degradation of operational characteristics under the influence of penetrating radiationLovshenko, I. Yu.; Khanko, V. T.; Stempitsky, V. R.
2013Screening design and device/technology deep- submicron MOSFET simulationBorovik, A. M.; Trung Tran Tuan; Stempitsky, V. R.
2013Simulation of interaction between bacillus subtilis bacteria and silicon surfaceNelayev, V. V.; Burko, V.; Stempitsky, V. R.; Kolomiets, E.; Kuptsov, V.; Berezhnaya, A.
2018Spin splitting in band structures of BiTeX (X=Cl, Br, I) monolayersHvazdouski, D. C.; Baranava, M. S.; Stempitsky, V. R.
2021Studying the influence of microbolometer structure and geometry on the parameters of infrared detectorsTran Van Trieu; Lovshenko, I. Yu.; Sadchenko, V.; Stempitsky, V. R.
2021Temperature dependence of the thermal conductivity of wurtzite aluminum nitride, gallium nitride and aluminum-gallium nitrideVolcheck, V. S.; Hvazdouski, D. C.; Baranava, M. S.; Stempitsky, V. R.
2021The proton flux influence on electrical characteristics of a dual-channel hemt based on GaAsLovshenko, I.; Voronov, A.; Roshchenko, P. S.; Ternov, R.; Stempitsky, V. R.
2021The proton flux influence on electrical characteristics of a dual-channel hemt based on GaAsLovshenko, I. Yu.; Voronov, A. Yu.; Roshchenko, P. S.; Ternov, R. E.; Galkin, Y. D.; Kunts, A. V.; Stempitsky, V. R.; Jinshun Bi
2015Интернет-система управления деятельностью научно-исследовательского подразделенияСтемпицкий, В. Р.; Тимошенко, К. А.; Волчёк, С. А.; Stempitsky, V. R.
2014Исследование механизма взаимодействия бактерии bacillus subtilis с поверхностью кремния посредством кванто-механических методов моделированияБурко, В. А.; Долгая, Я. В.; Стемпицкий, В. Р.; Баркалин, В. В.; Stempitsky, V. R.
2010Методические аспекты проектирования ИМСКостров, А. И.; Нелаев, В. В.; Цибулин, Ф. Л.; Стемпицкий, В. Р.; Stempitsky, V. R.
2018Методы и модели для схемотехнического моделирования приборов силовой электроникиХанько, В. Т.; Стемпицкий, В. Р.; Stempitsky, V. R.
2015Методы реализации удаленного доступа к системам компьютерного проектирования в микроэлектроникеСтемпицкий, В. Р.; Найбук, М. Н.; Stempitsky, V. R.
2011Много-язычный сайт E-RUDIT "Интернет-система для организации и контроля качества учебного процесса"Нелаев, В. В.; Стемпицкий, В. Р.; Чунг, Чан Туан; Зыонг, Хоанг Нгок; Шелибак, И. М.; Stempitsky, V. R.
2014Моделирование биполярного транзистора с изолированным затвором, сформированного по КНИ-технологииЛовшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.; Шелибак, И. М.; Stempitsky, V. R.
2017Моделирование влияния температуры, источника и интенсивности ионизирующего излучения на электрические характеристики субмикронных МОП-транзисторовЯцевич, Н. А.; Стемпицкий, В. Р.; Ловшенко, И. Ю.; Stempitsky, V. R.
2016Оптимизация конструктивно-технологических параметров элементной базы радиационно-стойких интегральных микросхемЛовшенко, И. Ю.; Дворников, О. В.; Стемпицкий, В. Р.; Stempitsky, V. R.
2020Оптимизация конструктивных параметров и режимов технологических операций формирования приборных структур кремниевых микростриповых детекторовРощенко, П. С.; Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.; Roshchenko, P. S.; Lovshenko, I. Yu.; Stempitsky, V. R.
2014Оптимизация параметров диффузионно-дрейфовой модели МОП-транзистораСтемпицкий, В. Р.; Боровик, А. М.; Чан, Т. Ч.; Stempitsky, V. R.