Skip navigation

Browsing by Subject интегральные микросхемы

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
 
Showing results 1 to 20 of 97  next >
Issue DateTitleAuthor(s)
2008R, С элементы интегральных микросхем на основе наноструктурных вентильных металлов и композиционных металлоксидовМозалев, А. М.; Плиговка, А. Н.
2015RC - задержка сигнала в металлических межсоединениях элементов интегральных микросхемБегунов, П. С.
2017RC-задержка сигнала в межсоединениях интегральных микросхемЧерных, А. Г.; Шульгов, В. В.
2023Автоматизированная система фиксации периода гармонических колебаний физического маятникаМихнюк, А. И.; Пашковец, М. В.
2021Алгоритмы кодирования и взлома кодов структурных реализаций цифровых устройствЗолоторевич, Л. А.; Ильинков, В. А.
2021Анализ геометрических параметров контактов кремниевой подложки и алюминиевой шины в интегральных микросхемах (ИМС) с использованием микроскопа с фокусированным ионным пучкомКабак, Т. В.; Петлицкая, Т. В.
2023Анализ особенностей работы средств контроля субмикронных структур изделий электронной техникиКабак, Т. В.
2021Анализ топологии фрагмента сечения интегральной микросхемы (ИМС) с использованием микроскопа с фокусированным ионным пучкомКабак, Т. В.
2017Аналоговая схемотехника. Лабораторный практикум. В 2 ч. Ч. 2: пособиеКрушев, В. Т.
2011Базовые технологические процессы изготовления интегральных схем и микроэлектромеханических систем. Лаб. практикум : учебно - метод. пособиеКотов, Д. А.; Родионов, Ю. А.
2025Возможности сотрудничества Беларуси и Китая в сфере микроэлектроникиБудник, В. С.
2019Восприимчивость полупроводниковых приборов и интегральных микросхем к воздействию ВЧ и СЧВ помехШлома, С. Л.
2021Выявление дефектов интегральной микросхемы (ИМС) посредством ионно-лучевого травленияКабак, Т. В.; Петлицкая, Т. В.
2023Двухлучевая лазерная обработка кварца для резонаторов и фотошаблонов субмикронных интегральных микросхемСоколов, С. И.
2020Деградация характеристик МОП-структур в условиях накопления заряда в подзатворном диэлектрике на основе двуокиси кремнияПисаренко, Н. С.
2018Диагностика интегральных микросхем методом послойного анализаПетровский, Е. В.
1982Запоминающее устройство с исправлением ошибокКонопелько, В. К.
1983Запоминающее устройство с самоконтролемКонопелько, В. К.
2021Измерение тепловых сопротивлений силовых полупроводниковых приборовГерман, Е. В.; Гармилин, Е. В.
2021Ионно-лучевые технологии как средство анализа топологии интегральной микросхемы (ИМС)Кабак, Т. В.